最新の価格を尋ねる
正会員
7 年
Add to Cart
インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター
Mosfet力トランジスターは何ですか。
力MOSFETは金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特別なタイプです。特に高レベル力を扱うことを設計します。力MOSFET'SはV構成で組み立てられます。従って、それはまたV-MOSFET、VFETとして呼ばれます。N-チャネル及びP-チャネル力MOSFETの記号は下の図で示されています。
Mosfet力トランジスター記述
60V/230A
R DS （） = mの（typ。） @ V GS =10V
険しいReliableand
鉛FreeandGreenDevicesAvailable
（RoHSCompliant）
Mosfet力トランジスター塗布
切換えの適用
インバーター システムのための力管理。
命令し、示す情報
注:HUAYIの無鉛プロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットのブリキ板Termi-死にます
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に要求します会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義します
自由な無鉛（迎合的なRoHS）およびハロゲンを意味する「緑」（BrかCLは重量900ppmを超過しません
BrおよびCLの同質な材料そして合計は重量1500ppmを超過しません）。
HUAYIはこのprへの変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保します
この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。
絶対最高評価
典型的なオペレーティング特性