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China 単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS supplier

単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS

単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS

型式番号:SIHB22N60E-E3

原産地:元の製造業者

最低順序量:最低順序量: 10 PCS

支払の言葉:先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer

供給の能力:1000

受渡し時間:3daysの中では

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シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社

正会員

Shenzhen China

住所： 2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 1 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK

FETのタイプ:

N-channel

実用温度:

-55°C | 150°C （TJ）

パッケージ:

TO263-3 D2PAK

高いライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

、

nチャネルのトランジスター

高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK

MSL 1の単一のN-CHANNELのMOSFETS

プロダクト技術仕様

製造業者	Vishay Siliconix
シリーズ	-
包装	管
部分の状態	活動的
FETのタイプ	N-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	600V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	21A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	10V
（最高） @ ID、VgsのRds	180 mOhm @ 11A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	4V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs （最高）	±30V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	1920pF @ 100V
FETの特徴	-
電力損失（最高）	227W （Tc）
実用温度	-55°C \| 150°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
製造者装置パッケージ	D2PAK
パッケージ/場合	TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB

OPA2107AU/2K5	チタニウム	PTH05050WAZ	チタニウム
THCV231-3L/CD	チタニウム	TMS320DM8168CCYG2	チタニウム
THC63LVD1024-1LTN	チタニウム	PTH08T231WAD	チタニウム
TMS320F28035PNT	チタニウム	TPS65920A2ZCHR	チタニウム
INA126PA	チタニウム	LMH0344SQ/NOPB	チタニウム
TPS73533DRBR	チタニウム	AD5412AREZ-REEL7	チタニウム
TPS54319RTER	チタニウム	ADS1241E/1K	チタニウム
IC12715001	チタニウム	TL16C552AFNR	チタニウム
THCV235-TB	チタニウム	PGA204AU/1K	チタニウム
THCV236-ZY	チタニウム	ADS8505IDWR	チタニウム
ADS8326IDGKR	チタニウム	TMS320LF2407APGEA	チタニウム
ADS7816U/2K5	チタニウム	AM3703CUSD100	チタニウム
DAC7558IRHBR	チタニウム	TMS320DM8148CCYEA0	チタニウム
ADSP-21489KSWZ-4B	チタニウム	LMZ23610TZE/NOPB	チタニウム
TPS75801KTTR	チタニウム	TPS2115ADRBR	チタニウム

商品のタグ：

高性能モスフェット標準電源モスフェットモスフェット高電力

China 単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS supplier

単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS

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