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Mosfet力トランジスターIGOT60R070D1AUMA1 MOSFET 600V CoolGaN力トランジスター
特徴
•スイッチを離れた強化モード トランジスター–普通
•超高速の切換え
•逆回復充満無し
•逆の伝導が可能
•低いゲート充満、低い出力充満
•優秀な代わりの険しさ
•JEDECの標準に従って産業適用のために修飾される（JESD47およびJESD22）
利点
•システム効率を改善します
•出力密度を改善します
•より高い動作周波数を可能にします
•システム費用の減少の節約
•EMIを減らします
| 部門 | MOSFET 600V CoolGaN力トランジスター |
|---|---|
| IGOT60R070D1AUMA1 | |
| トランジスター極性 | Nチャネル |
| 働く温度較差 | -55Cへの+150C |
| 漏出源のオン抵抗 | 70のmOhms |
| パッケージ | PG-DSO-20 |
| Pd力の消滅 | 125 W |
| VgsのThゲートの源の境界の電圧 | 600ボルト |
| 連続的な漏出流れ | 31 A |
FAQ:
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