インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスターは何ですか。 力MOSFETは金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特別なタイプです。特に高レベル力を扱うことを設計します。力MOSFET'SはV構成で組み立てられます。従っ.........
Add to Cart
高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C (TJ) パッケージ: TO263-3 D2P.........
Add to Cart
高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK MSL 1単一NチャネルのMOSFETS プロダクト技術仕様 製造業者 Vishay Siliconix シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 ......
Add to Cart
IRF5210PBF Pチャネル100V 40A 200W TO-220のすくいMosfet力トランジスター 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名のためにである.........
Add to Cart
SPW 24N60C3 MOSFET力 抵抗のトランジスター高い発電の高性能の低速 変数: - 源の電圧(VDS)を流出させなさい:600V - 流れ(ID)を流出させなさい:24A - ゲート源電圧(VGS):±20V - 電力損失(PD):15.........
Add to Cart
Mosfet力トランジスターIRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC MOSFETのトランジスター 適用 •高周波DC-DCのコンバーター •無鉛 記述......
Add to Cart
N型スーパージャンクション MOSFET パワートランジスタ SMPS用 製品説明: このスーパージャンクションMOSFETの特徴の一つは 100%の雪崩テストです このテストは装置が高エネルギートランジエントに耐えるようにします時折の電源突発やピークを経験するアプリケーションに優れた選択になり........
Add to Cart
CSD17313Q2 Mosfet力トランジスターMOSFET 30V NチャネルのNexFET力MOSFET 1特徴 5-Vゲート ドライブのために最大限に活用される 超低いQgおよびQgd 低い熱抵抗 Pbなし.........
Add to Cart
FQPF18N60C -あなたの電子プロジェクトのための最終的な力トランジスター--を導入するFQPF18N60Cの力-高圧および高い現在の適用のための理想を自由にしなさい 高圧および高い現在の適用を扱うことができる力トランジスターを捜すか。FQPF18N60Cよりそれ以上に見てはいけない。.........
Add to Cart
電気オートバイ18のmosfets 35Aのコントローラー48-96vの工場のための輸入された力トランジスターは指示します 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。 .........
Add to Cart
プロダクト細部 包装管部分の状態活動的FETのタイプN-Channel技術MOSFET (金属酸化物)流出させなさいに源の電圧(Vdss)55V現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C49A (Tc)ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)10V(最高) @ ID、VgsのRds17.5のmOhm.......
Add to Cart
標準的な電子部品でICはXC226796F80LACKXUMA1 SAK-XC2267-96F80L ACを欠く 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜ぶ。ありがとう! .........
Add to Cart
BUK201-50Y NPN PNPのトランジスターPowerMOSのトランジスターTOPFET高い側面スイッチ 記述 単一温度 積み過ぎによって保護される電源スイッチ aのMOSFETの技術に基づく わずかな負荷流れ(ISO) 形成される5つのピン プラスチック封筒 単一の高い側面スイッチとして。 ......
Add to Cart
SRF4157 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路SRF4157 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...
Add to Cart
補足のケイ素力トランジスター 電界効果トランジスタ 半導体 MJ15025G PNP の− MJ15023、MJ15025* ケイ素力トランジスター MJ15023 および MJ15025 は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用の.........
Add to Cart
D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz プッシュ・プル RF パワートランジスタ MOSFET 製造者: TT電子 製品カテゴリー: TT電子 ブランド: セメララボ / TT電子 D2085UKは28Vの電圧で動作し,120Wの出力に対応で.........
Add to Cart
IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........
Add to Cart
TIP137 ロジック 新品 オリジナル 双極 NPN 100V 6A TO220 パワートランジスタ トライオード TIP137 製品パラメータ 製造者: スタンダード パッケージ: トューブ 製品カテゴリー: MOSFET ブランド: 標準.........
Add to Cart