高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK
| FETのタイプ: |
N-channel |
実用温度: |
-55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ: |
TO263-3 D2PAK |
| 高いライト: |
nチャネルmosfetのトランジスター、nチャネルのトランジスター
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高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK
MSL 1の単一のN-CHANNELのMOSFETS
プロダクト技術仕様
| 製造業者 |
Vishay Siliconix |
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| シリーズ |
- |
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| 包装 |
管 |
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| 部分の状態 |
活動的 |
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| FETのタイプ |
N-Channel |
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| 技術 |
MOSFET （金属酸化物） |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） |
600V |
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| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C |
21A （Tc） |
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| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） |
10V |
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| （最高） @ ID、VgsのRds |
180 mOhm @ 11A、10V |
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| Vgs （（最高） Th） @ ID |
4V @ 250µA |
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| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs |
86nC @ 10V |
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| Vgs （最高） |
±30V |
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| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds |
1920pF @ 100V |
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| FETの特徴 |
- |
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| 電力損失（最高） |
227W （Tc） |
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| 実用温度 |
-55°C | 150°C （TJ） |
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| タイプの取付け |
表面の台紙 |
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| 製造者装置パッケージ |
D2PAK |
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| パッケージ/場合 |
TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB |
| OPA2107AU/2K5 |
チタニウム |
PTH05050WAZ |
チタニウム |
| THCV231-3L/CD |
チタニウム |
TMS320DM8168CCYG2 |
チタニウム |
| THC63LVD1024-1LTN |
チタニウム |
PTH08T231WAD |
チタニウム |
| TMS320F28035PNT |
チタニウム |
TPS65920A2ZCHR |
チタニウム |
| INA126PA |
チタニウム |
LMH0344SQ/NOPB |
チタニウム |
| TPS73533DRBR |
チタニウム |
AD5412AREZ-REEL7 |
チタニウム |
| TPS54319RTER |
チタニウム |
ADS1241E/1K |
チタニウム |
| IC12715001 |
チタニウム |
TL16C552AFNR |
チタニウム |
| THCV235-TB |
チタニウム |
PGA204AU/1K |
チタニウム |
| THCV236-ZY |
チタニウム |
ADS8505IDWR |
チタニウム |
| ADS8326IDGKR |
チタニウム |
TMS320LF2407APGEA |
チタニウム |
| ADS7816U/2K5 |
チタニウム |
AM3703CUSD100 |
チタニウム |
| DAC7558IRHBR |
チタニウム |
TMS320DM8148CCYEA0 |
チタニウム |
| ADSP-21489KSWZ-4B |
チタニウム |
LMZ23610TZE/NOPB |
チタニウム |
| TPS75801KTTR |
チタニウム |
TPS2115ADRBR |
チタニウム |
