モスフェット ヘックスフェット

IRF7311 HEXFET®力MOSFET 世代別V技術 超低いオン抵抗 二重NチャネルMOSFET 表面の台紙 評価される十分になだれ 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用.........

IRF7311 HEXFET®力MOSFET 世代別V技術 超低いオン抵抗 二重N-Channel MOSFET 表面の台紙 評価される十分になだれ 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の.........

IRF3205PbFHEXFET®パワーMOSFET 55V 98A TO-220 MOSFETトランジスタ 説明 International Rectifierの高度なHEXFET®パワーMOSFETは、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現します。.........

プロダクト タイトル:IRF 7476 TRPBF HEXFET力MOSFET 製品の説明: 1。IRF 7476 TRPBFは国際的な整流器からのHEXFET力MOSFETである。 2。それに55ボルトの5.2 A、最高の下水管源の電圧、および最高の2.5ボル.........

製品の説明IRF1404ZPBF Nチャネルのトランジスター180A 200W HEXFET FET MOSFET 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したIRF1404ZPBFのトランジスターN-Channel 180A 200W N-Channel 180A （穴TO-......

IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v104AトランジスタTO-220ABHEXFET FETs MOSFET トランジスタNチャネル180A200WスルーホールTO-220ABHEXFET FETMO.........

穴TO-220ABを通したIRF3205PBF NチャネルMOSFET 55V 110A 200W 記述 インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs 整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用します ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、 速い切り替え速度と結合され、高耐久......

AUIRF8739L2TR 集積回路チップ 40V 自動車用 シングル N チャネル電源 MOSFET トランジスタ 記述 AUIRF8739L2 combines the latest Automotive HEXFET® Power MOSFET Silicon technology wit........

IRF3205PBF# Hexfet力Mosfet 10A 55V 200W分野-効果の管インバーター強力なMosfetの管 高度の加工技術 超低いオン抵抗 動的dv/dtの評価 175°C実用温度 速い切換え 評価される十分になだれ 無鉛 記述 国際的な整.........

限られる優秀な総合システムは（限られるEIS） IRLML6346TRPBF - IR （国際的な整流器） -の専門のストッキングのディストリビューターHEXFET力MOSFETです.........

IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET Npn力トランジスター 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。速い切り替え速度と結合され、高耐久.........

55V 131A 5.3mのオーム170nCの電子集積回路のInfineon IRF1405STRLPBF MOSFET 典型的な適用 HEXFET®力のM...

航空PartsIRLML2803TRPBF MOSFETの下水管源の絶縁破壊電圧30 V 航空部品の記述: 国際的なRectifierutilize加工の技巧をからのケイ素区域ごとのachieveextremely低いオン抵抗に第5世代HEXFETsは進めた.........

MOSFET IRLML2244TRPBF チップ ダイオード トランジスタ集積回路 製品説明 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 製品特性 製造元...

IRF1407 75V シングルNチャネルHEXFET パワーMOSFET TO-220ABパッケージ 特徴: 広いSOA用の平面細胞構造 配送パートナーから最も広く利用できるように最適化 JEDEC 規格による製品資格 シリコンは100kHz未満のスイッチングアプリケーションに最適化さ.........

多機能Mosfetの電源スイッチ/AP8810TSの高い流れMosfetスイッチ 概説: Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXFETsおよび他の異なった.........

IRFB4115PBF Infineon TRANS MOSFET N-CH Si 150V 104A 3 Pin （3+Tab） TO-220ABの管プロダクト技術仕様 EU RoHS 免除と迎合的 ECCN （米国） EAR99......

RFR4105ZTRPBF Mosfetの運転者IC NチャネルFETのタイプ55V 30A DPAK RFR4105ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 部門 分離...