IRF7311TRPBF電子ICは二重NチャネルMOSFET HEXFET力MOSFETを欠く

型式番号:IRF7311TRPBF
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:7600pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

IRF7311

HEXFET®力MOSFET


  • 世代別V技術
  • 超低いオン抵抗
  • 二重N-Channel MOSFET
  • 表面の台紙
  • 評価される十分になだれ

記述

国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。


SO-8は高められた熱特徴およびそれをいろいろな力の適用で理想的にさせる多数ダイスの機能のためのカスタマイズされたleadframeを通して変更された。これらの改善を使うと、多数装置は劇的に減らされた板スペースを使うと適用で使用することができる。パッケージは蒸気段階、赤外線の、または波のはんだ付けする技術のために設計されている。


絶対最高評価(通知がなければTA = 25°C)

記号最高単位
下水管源の電圧VDS20V
ゲート源の電圧VGS±12V
連続的な下水管の現在の… 1TA = 25°CID6.6
TA = 70°C5.3
脈打った下水管の流れIDM26
連続的なソース電流(ダイオードの伝導)ある2.5
最高の電力損失の… 1TA = 25°CPD2.0W
TA = 70°C1.3
単一の脈拍のなだれエネルギー‚ 2EAS100mJ
なだれの流れIAR4.1
反復的ななだれエネルギー0.20mJ
ピーク ダイオードの回復dv/dt ƒ 3dv/dt5.0V/ ns
接続点および保管温度の範囲TJ、TSTG-55に+ 150°C

注:

1. 表面は正方形のCU板に1に取付けた

2。 始まるTJ = 25°C、L = 12mH RG = 25Ω、IAS = 4.1A。

ƒ 3. ISDの≤ 4.1Aのdi/dtの≤ 92A/µsのVDDの≤ V (BR) DSSのTJの≤ 150°C


標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。ブランドD/Cパッケージ
IRF3707PBF6217IR11+TO-220
IRF5210PBF2546IR15+TO-220
IRF5800TRPBF54000IR16+TSOP-6
IRF6218PBF8426IR06+TO-220AB
IRF640NPBF5610IR15+TO-220
IRF640NSTRLPBF4905IR16+TO-263
IRF6638TRPBF4492IR13+SMD
IRF7303TRPBF15463IR14+SOP-8
IRF7328TRPBF6288IR13+SOP-8
IRF740B49000FSC16+TO-220
IRF740PBF11487IR16+TO-220
IRF7416TRPBF23190IR16+SOP-8
IRF7494TRPBF9525IR14+SOP-8
IRF7907TRPBF12836IR13+SOP-8
IRF8010PBF17656IR16+TO-220
IRF840PBF14327VISHAY16+TO-220
IRF8788TRPBF21214IR12+SOP-8
IRF9530NPBF5539IR16+TO-220
IRF9620PBF3435VISHAY13+TO-220
IRF9Z24N9496IR16+TO-220
IRFB3004PBF8497IR09+TO-220
IRFB31N20D6973IR14+TO-220
IRFB3207ZPBF16234IR15+TO-220
IRFB3306PBF7959IR13+TO-220
IRFB4227PBF14319IR16+TO-220
IRFB4310PBF7645IR16+TO-220
IRFB4332PBF5199IR16+TO-220
IRFB4332PBF4735IR16+TO-220
IRFB52N15DPBF7716IR15+TO-220
IRFI4019HG-117P4847IR14+TO-220-5

China IRF7311TRPBF電子ICは二重NチャネルMOSFET HEXFET力MOSFETを欠く supplier

IRF7311TRPBF電子ICは二重NチャネルMOSFET HEXFET力MOSFETを欠く

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