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穴TO-220ABを通したIRF3205PBFのN-Channel MOSFET 55V 110A 200W
記述
インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs
整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用する
ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、
速い切り替え速度と結合され、高耐久化される
HEXFET力のMOSFETsが有名であること装置設計
のために、非常に有効のをデザイナーに与える
いろいろ適用の使用のための信頼できる装置。
TO-220パッケージはすべてのために一般に好まれる
電力損失のレベルの商業産業適用
およそ50ワットに。低い熱抵抗
TO-220の低いパッケージの費用は広いに貢献する
企業中の受諾。
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 55V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 110A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 8 mOhm @ 62A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 146nC @ 10V |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 3247pF @ 25V |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 200W (Tc) |
実用温度 | -55°C | 175°C |
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