製品カテゴリ

ICのメモリーチップ

[23]

集積回路の破片

[74]

コンピュータIC破片

[13]

力管理IC

[24]

PCBのコネクター

[149]

UVC LEDランプ

[49]

一般目的の整流器ダイオード

[60]

NPN PNPのトランジスター

[64]

SMDの破片の抵抗器

[29]

SMDのチップ・コンデンサ

[41]

スイッチを離れた押しボタン

[14]

IGBT力モジュール

[26]

サイリスタモジュール

[7]

RFの無線モジュール

[11]

SMDの破片誘導器

[11]

エア・クオリティのガスセンサー

[9]

LEDの照明部品

[10]

低い信号のリレー

[26]

水晶および発振器

[10]

他の電子部品

[48]

企業との接触

デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：MrsVIVI

表示連絡先の詳細

企業との接触

China IRF3205PBF# Hexfet力Mosfet 10A 55V 200W INFINEONの原物 wholesale

IRF3205PBF# Hexfet力Mosfet 10A 55V 200W INFINEONの原物

最新の価格を尋ねる

型式番号 :IRF3205PBF

原産地 :ドイツ

最低順序量 :10pcs

支払の言葉 :T/T、paypalウェスタン・ユニオン

供給の能力 :10,000pcs

受渡し時間 :標準的な2-3days

包装の細部 :管

PN :IRF3205PBF

ブランド :Infineon

パッケージ :TO-220AB

タイプ :Hexfet力MOSFET

現在 :10A

電圧 :55V

力 :200W

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

IRF3205PBF# Hexfet力Mosfet 10A 55V 200W分野-効果の管インバーター強力なMosfetの管

高度の加工技術
超低いオン抵抗
動的dv/dtの評価
175°C実用温度
速い切換え
評価される十分になだれ
無鉛

記述

国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは高度の加工の技巧を利用する

ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するため。

速い切り替え速度および高耐久化された装置設計と結合されるこの利点

そのHEXFET力のMOSFETsは有名のためにでしたり、非常に有効な、信頼できる装置をデザイナーに与える

いろいろ適用の使用のため。

TO-220パッケージはすべての商業産業適用のために一般に好まれる

およそ50ワットへの電力損失のレベル。

TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。

IRF3205PBF# Hexfet力Mosfet 10A 55V 200W INFINEONの原物

デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社
電子メール:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN