最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
International Rectifierの高度なHEXFET®パワーMOSFETは、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現します。 この利点は、HEXFETパワーMOSFETでよく知られている高速スイッチング速度と高耐久化されたデバイス設計と組み合わされ、幅広いアプリケーションで使用するための非常に効率的で信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。
TO-220パッケージは、消費電力レベルが約50ワットのすべての商業用アプリケーションに広く好まれています。 TO-220の低熱抵抗と低パッケージコストは、業界全体で広く受け入れられています。