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4 年
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| EU RoHS | 免除と迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| 自動車 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | 力MOSFET |
| 材料 | Si |
| 構成 | 単一 |
| 加工技術 | HEXFET |
| チャネル モード | 強化 |
| チャネル タイプ | N |
| 破片ごとの要素の数 | 1 |
| 最高の下水管の源の電圧（v） | 150 |
| 最高のゲート源電圧（v） | ±20 |
| 最高の連続的な下水管現在の（a） | 104 |
| 最高の下水管の源の抵抗（MOhm） | 11@10V |
| 典型的なゲート充満@ Vgs （NC） | 77@10V |
| 典型的なゲート充満@ 10V （NC） | 77 |
| 典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） | 5270@50V |
| 最高の電力損失（MW） | 380000 |
| 典型的な落下時間（ns） | 39 |
| 典型的な上昇時間（ns） | 73 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） | 41 |
| 典型的なTurn-On遅れ時間（ns） | 18 |
| 最低の実用温度（°C） | -55 |
| 最高使用可能温度（°C） | 175 |
| 包装 | 管 |
| ピン・カウント | 3 |
| 標準パッケージの名前 | TO-220 |
| 製造者のパッケージ | TO-220AB |
| 土台 | 穴を通して |
| パッケージの高さ | 9.02 （最高） |
| パッケージの長さ | 10.67 （最高） |
| パッケージの幅 | 4.83 （最高） |
| PCBは変わった | 3 |
| タブ | タブ |
| 鉛の形 | 穴を通して |