最新の価格を尋ねる
サイト会員
8 年
Add to Cart
穴TO-220ABを通したIRF3205PBFのN-Channel MOSFET 55V 110A 200W
記述
インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs
整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用する
ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、
速い切り替え速度と結合され、高耐久化される
HEXFET力のMOSFETsが有名であること装置設計
のために、非常に有効のをデザイナーに与える
いろいろ適用の使用のための信頼できる装置。
TO-220パッケージはすべてのために一般に好まれる
電力損失のレベルの商業産業適用
およそ50ワットに。低い熱抵抗
TO-220の低いパッケージの費用は広いに貢献する
企業中の受諾。
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 55V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 110A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 8 mOhm @ 62A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 3247pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 200W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C |
| 在庫の他の電子部品のリスト | ||||
| CKCA43C0G1H220KT010N | TDK | ADP3207JCPZ | ADI | |
| LM809M3X-4.63 | NS | MC100EL56DWR2 | ||
| LH7A404N0F000B3 | NXP | MAX4321EUK-T | 格言 | |
| HLMP-EL13-XYKOO | AVAGO | FMMT717TA | ZETEX | |
| RT9162-33PX | RICHTEK | 767163104GPTR13 | CTS | |
| PLS153AN | NXP | TL431ASF | HTC | |
| PBL40157/1GLQAR1B | INFINEON | RD3.3M-T1B | NEC | |
| AC101-TF | ALTIMA | LFB2H2G45SG7C220 | 村田 | |
| 88RF838-A7-BKL2C000-P123 | MARVELL | ACMD-4102-TR1 | AVAGO | |
| TLP541G-2 | FSC | MSD8835WV | MSTAR | |
| MIC29150-5.0WT | MICREL | LQM18NNR33K00D | 村田 | |
| MAX9060EUK+T | 格言 | LM2576T-15/NOPB | チタニウム | |
| ADF7020BCP | ADI | KA556 | FSC | |
| LM392N | NS | DS1307ZN+T&R | 格言 | |
| AD6654CBCZ | ADI | DBL205G | TSC | |
| SL1461SA/KG/MPBD | ZARLINK | TB6643KQ （O | 東芝 | |
| MPC860TZQ50D4 | FREESCALE | REP015137/1 | ANAREN | |
| LM5068MM-4/NOPB | NSC | QT161-ASG | QUANTUM | |
| SD833-04-TE12R | SD833-04-TE12R | MAX155BCPI+ | 格言 | |
| SAFEB1G57FM0F00R14 | 村田 | LTC3872ETS8 | LT | |