モスフェット 600V

Infineon MOSFET N CH 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3はInfineonの第3一連の600V CoolMOS™ C3のためのCoolMOS™の取り替えであるCoolMOS™ P7 600V CoolMOS™ C3であ......

高性能電子工学のための強力なSPA20N60C3 MosfetSPA20N60C3 Mosfetの賛否両論 電子工学分野のリーダーとして、私達は非常に広い応用範囲の例外的な性能そして効率のためのSPA20N60C3 Mosfetを推薦する。600Vの電圧評価および20Aの現在の評価によって、.........

Switchongおよびボディ速い回復のためのJY16M Nチャネルの強化モード力MOSFET 600V/4A 概説JY16Mは高い細胞密度を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用し、高く反復的ななだれの評価のオン抵抗を減らす。これらの特徴はこの設計に力の切換えの適用および他のい.........

高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK MSL 1単一NチャネルのMOSFETS プロダクト技術仕様 製造業者 Vishay Siliconix シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 ......

SIHW30N60E-GE3最高 パワー エレクトロニクスのための性能30A 600V NチャネルMOSFET 製品の機能: の高さの速度の切換え-低いゲート充満-低いオン抵抗- TrenchFET力MOSFET-優秀なゲート充満X RDS （）プロダクト.........

SSS7N60B 600V NチャネルMOSFET力mosfet ICの電界効果トランジスタ 特徴 •7.0A、600V、RDS （） = 1.2Ω @VGS = 10ボルト •低いゲート充満（典型的な38 NC） •低いCrss （典型的な23 pF） •速い切換え •テストされる10.........

高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2P.........

LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換 Mosfet力トランジスター記述 AP50N20Dの使用高度の堀 優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。 補足のMOSFETsが他のホストのためのレベルによって移される高い側面スイ.........

転換されたモード電源のための10N60 600V nチャネルmosfetの電界効果トランジスタ データ用紙:CY10N60F.pdf 電界効果トランジスタの特徴: 下水管の流れは9.5A、600V、RDS （） =0.73Ω @VGS =10 Vです 低いゲート充満MO.........

...

高い発電MOSFET FCA20N60FのN-Channel SuperFET FRFET 600V 20A 190mΩ TO-3P [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年に.........

プロダクト細部 包装管 部分の状態活動的 FETのタイプN-Channel 技術MOSFET （金属酸化物） 流出させなさいに源の電圧（Vdss）600V 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C7.5A （Ta） ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V （最高） @ ID、Vgsの.........

集積回路の破片STL24N60M6力MOSFETのトランジスター600V 8PowerVDFN STL24N60M6の製品の説明STL24N60M6は単一のFETs動力を与えるMOSFETのトランジスター、低いゲートの入力抵抗に、実用温度である-55°C | 150°C （TJ）であ.........

IRFBC30 N - チャネル600V - 1.8 Ω - 3.6A - TO-220 PowerMESHTM ΙΙ MOSFET タイプ VDSS RDS （） ID IRFBC30 600ボルト < 2=&quot;&quot;>...

IR2110STRPBF 600V/1200V MOSFETドライバー 2Aピーク・ファスト 100ns スイッチング UVLO CMOS/LSTTL インプット SOIC-16 モータードライブとインバーターに最適 そして 特徴 動力電源を起動させるため設計された浮動チャネル +500Vまたは +......

JY213H 600V 三相ゲートドライバIC | 高速MOSFET & IGBTドライバ 概要 JY213Hは、三相ゲート駆動アプリケーション向けの3つの独立したハイサイドおよびローサイド出力チャンネルを備えた、高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバです。チップにはデッドタイムおよびシ.........

STP20NM60FP MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP 部門 分離した半導体製品 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -...

Infineon 600V Coolmos IPB60R099P7 600V 31A 77 MOhms Npn力トランジスター 適用 •懸命に転換PWMの段階および共鳴転換の段階 •アダプター、LCD&PDP TVの照明 記述 600V CoolMOSª P7力トランジスター C.........

IR2108STRPBF Chipscomponentの電子部品ICの破片。 IR2108STRPBF MOSFETの破片の集積回路新しく、元のSOIC-14_150mil 20Vへのゲート ドライブ半分BRDG DRVR 600V 10 部門 集積回路（I.........

G3VM-601AY2半導体継電器- PCBの台紙の小さいDIP4パッケージ、600V、高い絶縁耐力のタイプとの90mAOmronの電子工学G3VM AY/DYの高い絶縁耐力MOSFETのリレー Omronの電子工学G3VM AY/DYの高い絶縁耐力MOSFETのリレーは5kVまでの高い絶縁耐.........