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包装 | 管 | |
---|---|---|
部分の状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | N-Channel | |
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 600V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 7.5A (Ta) | |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 1Ohm @ 4A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 1mA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
Vgs (最高) | ±30V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V | |
電力損失(最高) | 45W (Tc) | |
実用温度 | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | 穴を通して | |
製造者装置パッケージ | TO-220SIS | |
パッケージ/場合 | TO-220-3完全なパック |