SPA20N60C3トランジスターおよび高性能の電子工学のためのMOSFET 600V 20A
型式番号:SPA20N60C3
タイプ:MOSFET
シリーズ:SPA20N60C3
D/c:新しい
条件:新しい及び元
元:肯定
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
Shenzhen, Futian District, Huaqiang North SEG Plaza, Room 3209
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内 39 時間
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高性能電子工学のための強力なSPA20N60C3 Mosfet
SPA20N60C3 Mosfetの賛否両論
電子工学分野のリーダーとして、私達は非常に広い応用範囲の例外的な性能そして効率のためのSPA20N60C3 Mosfetを推薦する。600Vの電圧評価および20Aの現在の評価によって、このMosfetは高性能電子工学のために完全こと要求最高級力管理である。SPA20N60C3 Mosfetの主要な賛成論の1つは平均が高性能および減らされた熱生成に終ってそれ高い現在および低い電力の損失を、扱うことができる低いオン州の抵抗である。これそれに電源のための大きい選択を、太陽インバーター、運動制御および高周波切換えを要求する他の適用はする。
SPA20N60C3 Mosfetのもう一つの利点は信頼性および耐久性である。それはより長い寿命および最低の維持を保障する最新式の技術と造った。これは高性能電子工学に頼る個人およびビジネスのための重要な費用節約の測定である。但し、あらゆるMosfetのように、SPA20N60C3の使用へある反対論がある。1つの詐欺はそれが高圧評価による低電圧の適用のために適していないことである。さらに、それはそれが高い値段ポイントが付いている上限Mosfetであるのであるプロジェクトのための最も費用効果が大きい選択ではないかもしれない。全体的にみて、私達は非常に広い応用範囲の例外的な性能のためのSPA20N60C3 Mosfetを推薦する。その高性能、信頼性および耐久性はそれに要求の電子工学のための大きい選択をする。
技術的な特徴:
- 技術:Si
- 様式の取付け:穴を通して
- パッケージ/場合:TO-220FP-3
- トランジスター極性:N-Channel
- チャネルの数:1つのチャネル
- Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:600ボルト
- ID -連続的な下水管の流れ:20.7のA
- Rdsのオン下水管源の抵抗:190のmOhms
- Vgs -ゲート源の電圧:- 20ボルト、+ 20ボルト
- VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:2.1 V
- Qg -ゲート充満:87 NC
- 最低の実用温度:- 55 C
- 最高使用可能温度:+ 150 C
- Pd -電力損失:34.5 W
- チャネル モード:強化
- 商号:CoolMOS
- シリーズ:CoolMOS C3
- 包装:管
- ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
- 構成:単一
- 落下時間:4.5 ns
- 高さ:16.15 mm
- 長さ:10.65 mm
- 製品タイプ:MOSFET
- 上昇時間:5 ns
SPA20N60C3トランジスターおよび高性能の電子工学のためのMOSFET 600V 20A
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