LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換
型式番号:5N20DY TO-252
原産地:深セン中国
最低順序量:ネゴシエーション
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
受渡し時間:1 - 2 週
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換
Mosfet力トランジスター記述
AP50N20Dの使用高度の堀
優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。
補足のMOSFETsが他のホストのためのレベルによって移される高い側面スイッチを、形作るのに使用され
Mosfet力トランジスター概要の特徴
V DS =200V、I D =5A
R DS （） <520m>
Mosfet力トランジスター塗布
負荷切換え
懸命に転換されて高周波は無停電電源装置巡回し、
パッケージの印および発注情報
| プロダクトID | パック | 印が付いていること | Qty （PCS） |
| 5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
| 5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
絶対最高評価（通知がなければTA=25℃）
| 変数 | 記号 | 限界 | 単位 |
| 下水管源の電圧 | VDS | 200 | V |
| ゲート源の電圧 | VGS | ±20 | V |
| 現在連続的流出させて下さい | ID | 5 | A |
| 現在脈打つ流出させて下さい（ノート1） | IDM | 20 | A |
| 最高の電力損失 | PD | 30 | W |
| 作動の接続点および保管温度の範囲 | TJ、TSTG | -55から150 | ℃ |
熱特徴
| 接続点に包囲された熱抵抗（ノート2） | RθJA | 4.17 | ℃/W |
電気特徴（通知がなければTA=25℃）
| 変数 | 記号 | 条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| 特徴を離れて | ||||||
| 下水管源の絶縁破壊電圧 | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
| ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ | IDSS | VDS=200V、VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| ゲート ボディ漏出流れ | IGSS | VGS=±20V、VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 特徴（ノート3） | ||||||
| ゲートの境界の電圧 | VGS （Th） | VDS=VGS、ID=250μA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| 下水管源のオン州の抵抗 | RDS （） | VGS=10V、ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
| 前方相互コンダクタンス | gFS | VDS=15V、ID=2A | - | 8 | - | S |
| 動特性（Note4） | ||||||
| 入力キャパシタンス | Clss |
VDS=25V、VGS=0V、F=1.0MHz | - | 580 | - | PF |
| 出力キャパシタンス | Coss | - | 90 | - | PF | |
| 逆の移動キャパシタンス | Crss | - | 3 | - | PF | |
| 切換えの特徴（ノート4） | ||||||
| 遅れ時間回転 | td （） |
VDD=100V、RL=15Ω VGS=10V、RG=2.5Ω | - | 10 | - | nS |
| 上昇時間回転 | tr | - | 12 | - | nS | |
| 回転遅れ時間 | td （） | - | 15 | - | nS | |
| 回転落下時間 | tf | - | 15 | - | nS | |
| 総ゲート充満 | Qg |
VDS=100V、ID=2A、VGS=10V | - | 12 | NC | |
| ゲート源充満 | Qgs | - | 2.5 | - | NC | |
| ゲート下水管充満 | Qgd | - | 3.8 | - | NC | |
| 下水管源のダイオード特徴 | ||||||
| ダイオード前方電圧（ノート3） | VSD | VGS=0V、IS=2A | - | - | 1.2 | V |
| ダイオードの前方流れ（ノート2） | あります | - | - | 5 | A | |
注:
- 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
- FR4板に、tの≤ 10の秒取付けられる表面。
- 脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300μsの使用率の≤ 2%。
- 意図的に、ない生産に応じて保証される
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 最少。 | 最高。 | 最少。 | 最高。 | |
| A | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 0.000 | 0.127 | 0.000 | 0.005 |
| b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
| c | 0.460 | 0.580 | 0.018 | 0.023 |
| D | 6.500 | 6.700 | 0.256 | 0.264 |
| D1 | 5.100 | 5.460 | 0.201 | 0.215 |
| D2 | 0.483 TYP。 | 0.190 TYP。 | ||
| E | 6.000 | 6.200 | 0.236 | 0.244 |
| e | 2.186 | 2.386 | 0.086 | 0.094 |
| L | 9.800 | 10.400 | 0.386 | 0.409 |
| L1 | 2.900 TYP。 | 0.114 TYP。 | ||
| L2 | 1.400 | 1.700 | 0.055 | 0.067 |
| L3 | 1.600 TYP。 | 0.063 TYP。 | ||
| L4 | 0.600 | 1.000 | 0.024 | 0.039 |
| Φ | 1.100 | 1.300 | 0.043 | 0.051 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| V | 5.350 TYP。 | 0.211 TYP。 | ||
LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換
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