金属オキシド半導体フィールド効果トランジスタ

製品説明: 高電源MOSFETは,太陽光インバーター,高電圧DC/DC変換機,モータードライバ,UPS電源,スイッチング電源などのアプリケーションに使用されているNチャンネルMOSFETの一種です.充電台低抵抗,高電流,高効率,軍事標準の生産ラインの利点があります.品質保証と信頼性の高い性能のた........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ Mosfet力トランジスター記述 -30V/-60AR DS （） = 4.8mΩ （typ。）@V GS =-10VR DS （） = 6.8mΩ （typ。）@V GS =-4.5V信頼でき、険しい利用できるハロゲン.........

MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル 製品範囲 MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOh.........

真新しいIrfz44ns MK8Dの電界効果トランジスタのトランジスター タバコ機械部品 トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台の.........

NVTR0202PLT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス 二重N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ20V 2A TO-236-3のパッケージ FETのタイプ......

FDS9435AパワーMOSFETシングルPチャネル電界効果トランジスタ 概要 このPチャネルMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクタの高度なPowerTrenchプロセスの堅牢なゲートバージョンです。 幅広い駆動電圧定格（4.5V〜25V）を必要とする電力管理アプリケーションに.........

新しく、元のSMD MOSFETの電界効果トランジスタSOT-23 L2N7002LT1G プロダクト 記述: 1. PDの電力損失|300mW/0.3W記述及び適用|半導体技術的なデータ超高度の速度の転換の適用アナログ スイッチ塗布私達はプロダクトの材料が自由なハロゲンおよびRoHSの条.........

FDS9435A力Mosfetのトランジスター単一P -チャネルの電界効果トランジスタ 概説 このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体の高度のPowerTrenchプロセスの険しいゲート版である。それは広い範囲をの要求する適用がドライブ電圧評価（4.5V – 2.........

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Littelfuse V07E320Pの十字MYG GNRディスク動きの金属酸化物バリスター07D511K 320V 7mm 金属酸化物バリスター07D511Kの適用 *トランジスター、ダイオード、IC、サイリスタおよびトライアックの半導体。*家電のサージの保護。*電子equipuent保護のト........

青14mm 560v CVR-14D 561Kの発電機のための放射状の鉛3のmovsの金属酸化物バリスター 速い細部: 1. ULの証明 2. 放射状の加鉛タイプ 3. 130Vからの1000VへのVM （AC） RMSの電圧範囲 4. 360Jまでのエネルギー吸収の機能 5. 多数は選びます7mm......

UL 承認 ZNR 臨時電波吸収器 メタルオキシドバリストール 05D471K 5mm 470V 300VAC 385VDC 800A 0.1W 21J 特徴 ● コンパクト サイズ の 強い 突っ込み 電流 を 耐える 能力 ● 大型 電気 容量 収縮型 短時間 超電圧 を 吸収.........

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 NP110N055PUG製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR）部分の状態時代遅れFETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）55V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C110A （T......

デジタル タイヤ空気圧は LCD のデジタル表示装置、険しい ABS 構造との TG-101 を正確に測ります 圧力範囲: 5-150PSI; LCD デジタル表示装置; 険しい ABS 構造; 高精度: ±2PSI; 決断率:.........

新しい熱管理解決プロダクト1.5mmTシリコーンなしの熱パッドZpaster160-20-11F 2Wの伝導性 企業収益 Ziitekの会社は熱インターフェイス材料（TIMs）のR & D、製造および販売に捧げたハイテクな企業である。私達に最新支えることができるこの分野、ほとんどの有効な、ワン・ステ......

熱いMosfetのトランジスターSak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s電子工学の部品 MOSFET （金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター）は転換装置として電子回路で一般的のタイプのトランジスターである。.........

MRF9045LR1TRANSISTORS RFの在庫の両極トランジスターSi原物 ASI MRF9045LR1は金金属で処理される高圧である 横に拡散させた金属酸化膜半導体。今日のための理想 RFの電力増幅器の塗布。 製品カテゴリ: RF M.........

標準的な2N7002 702/7002 SOT-23 2N7002LT 2N7002 7002のN-Channel MOSFETの2N7002DW K27 72K 2N7002 7002 SOT363 SMDのトランジスター 2N7000 / 2N7002/NDS7002ANチャネルの強化モ.........