金属オキシド半導体フィールド効果トランジスタ

15A 600V 274mΩ TO-220F 金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ NチャネルスーパージャンクションMOSFET 部品番号:LC60R280F パッケージ:TO-220F 主要な特徴 私はD15A VDSS: はい600V RDSON型 VGS=10V:274m.........

製品説明: 高電源MOSFETは,太陽光インバーター,高電圧DC/DC変換機,モータードライバ,UPS電源,スイッチング電源などのアプリケーションに使用されているNチャンネルMOSFETの一種です.充電台低抵抗,高電流,高効率,軍事標準の生産ラインの利点があります.品質保証と信頼性の高い性能のた........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ Mosfet力トランジスター記述 -30V/-60AR DS （） = 4.8mΩ （typ。）@V GS =-10VR DS （） = 6.8mΩ （typ。）@V GS =-4.5V信頼でき、険しい利用できるハロゲン.........

MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル 製品範囲 MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOh.........

PXAC241702FC-V1-R250 RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスターRFP-LD10M 記述ThePXAC241702FCは2300から2400の......

真新しいIrfz44ns MK8Dの電界効果トランジスタのトランジスター タバコ機械部品 トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台の.........

FDS9435AパワーMOSFETシングルPチャネル電界効果トランジスタ 概要 このPチャネルMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクタの高度なPowerTrenchプロセスの堅牢なゲートバージョンです。 幅広い駆動電圧定格（4.5V〜25V）を必要とする電力管理アプリケーションに.........

NVTR0202PLT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス 二重N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ20V 2A TO-236-3のパッケージ FETのタイプ......

新しく、元のSMD MOSFETの電界効果トランジスタSOT-23 L2N7002LT1G プロダクト 記述: 1. PDの電力損失|300mW/0.3W記述及び適用|半導体技術的なデータ超高度の速度の転換の適用アナログ スイッチ塗布私達はプロダクトの材料が自由なハロゲンおよびRoHSの条.........

FDS9435A力Mosfetのトランジスター単一P -チャネルの電界効果トランジスタ 概説 このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体の高度のPowerTrenchプロセスの険しいゲート版である。それは広い範囲をの要求する適用がドライブ電圧評価（4.5V – 2.........

Littelfuse V07E320Pの十字MYG GNRディスク動きの金属酸化物バリスター07D511K 320V 7mm 金属酸化物バリスター07D511Kの適用 *トランジスター、ダイオード、IC、サイリスタおよびトライアックの半導体。*家電のサージの保護。*電子equipuent保護のト........

青14mm 560v CVR-14D 561Kの発電機のための放射状の鉛3のmovsの金属酸化物バリスター 速い細部: 1. ULの証明 2. 放射状の加鉛タイプ 3. 130Vからの1000VへのVM （AC） RMSの電圧範囲 4. 360Jまでのエネルギー吸収の機能 5. 多数は選びます7mm......

UL 承認 ZNR 臨時電波吸収器 メタルオキシドバリストール 05D471K 5mm 470V 300VAC 385VDC 800A 0.1W 21J 特徴 ● コンパクト サイズ の 強い 突っ込み 電流 を 耐える 能力 ● 大型 電気 容量 収縮型 短時間 超電圧 を 吸収.........

製品の説明: TGS2615-E00酸化物半導体の水素センサー 特徴: TGS2615-E00:金属酸化膜半導体の主義、設計されていたフィルター層は、効果的にアルコールおよび他の揮発有機溶剤の干渉を除去できよい選択率および感受性を水素に示す 1. 高められた選択率のフィルター層 2..........

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 NP110N055PUG製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR）部分の状態時代遅れFETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）55V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C110A （T......

デジタル タイヤ空気圧は LCD のデジタル表示装置、険しい ABS 構造との TG-101 を正確に測ります 圧力範囲: 5-150PSI; LCD デジタル表示装置; 険しい ABS 構造; 高精度: ±2PSI; 決断率:.........

新しい熱管理解決プロダクト1.5mmTシリコーンなしの熱パッドZpaster160-20-11F 2Wの伝導性 企業収益 Ziitekの会社は熱インターフェイス材料（TIMs）のR & D、製造および販売に捧げたハイテクな企業である。私達に最新支えることができるこの分野、ほとんどの有効な、ワン・ステ......

熱いMosfetのトランジスターSak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s電子工学の部品 MOSFET （金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター）は転換装置として電子回路で一般的のタイプのトランジスターである。.........