NVTR0202PLT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスの二重N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ20V 2A TO-236-3のパッケージ
型式番号:NVTR0202PLT1G
原産地:原物
最低順序量:1
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製品詳細
NVTR0202PLT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス
二重N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ20V 2A TO-236-3のパッケージ
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 800mOhm @ 200mA、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.3V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 2.18 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 70 pF @ 5ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 225mW （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SOT-23-3 （TO-236） | |
パッケージ/場合 |
NVTR 0202 PLT 1Gは高周波の、低電圧の適用のためにとりわけ設計されているP-Channelの強化モード縦のField-Effectのトランジスター（VFET）である。この装置は低いオン州の抵抗および優秀な転換の性能を提供する信頼性が高いMOSFETプロセスを使用して組み立てられる。装置はTO-236-3パッケージで収納され、-0.2ボルトから-0.5ボルトの-20ボルトおよび低いゲート源の境界の電圧の低電圧操作の範囲を提供する。それは高周波転換回路にとって理想的で、高い現在の処理の機能を提供する。装置はまた優秀な出力効率、低いEMIおよび最低の電力損失を提供する。
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NVTR0202PLT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスの二重N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ20V 2A TO-236-3のパッケージ
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