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FDS9435AパワーMOSFETシングルPチャネル電界効果トランジスタ

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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FDS9435AパワーMOSFETシングルPチャネル電界効果トランジスタ

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型式番号 :FDS9435A
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :8300pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
下水管源の電圧 :– 30ボルト
ゲート源の電圧 :±25 V
作動の接合部温度 :– 55から+175 °C
保存温度 :– 55から+175 °C
流れを流出させて下さい(連続的な) :– 5.3 A
熱抵抗、接続点に場合 :25 °C/W
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FDS9435AパワーMOSFETシングルPチャネル電界効果トランジスタ

概要

このPチャネルMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクタの高度なPowerTrenchプロセスの堅牢なゲートバージョンです。 幅広い駆動電圧定格(4.5V〜25V)を必要とする電力管理アプリケーションに最適化されています。

アプリケーション

・ パワー管理

・ロードスイッチ

・バッテリー保護

特徴

・-5.3A、-30V R DS(ON) = 50mW @ V GS = -10V

R DS(ON) = 80mW @ V GS = -4.5V

・低ゲート電荷

・高速スイッチング速度

・非常に低いRDS(ON)のための高性能トレンチ技術

・高出力および電流処理能力

絶対最大定格 T A =特に指定のない限り25℃

シンボル パラメータ 評価 単位
V DSS ドレイン - ソース間電圧 -30 V
V GSS ゲート - ソース間電圧 ±25 V
私はD

ドレイン電流 - 連続(注1a)

- パルス

-5.3 A
-50
P D

単一動作のための電力損失(注1a)

(注1b)

(注1c)

2.5 W
1.2
1
T J 、T STG 動作およびストレージ接合温度範囲 -55〜+ 175 °C

株式オファー(ホット・セール)

部品番号 ブランド D / C パッケージ
H11G1SR2M 3977 FAIRCHILD 10+ SOP-6
H11L1SR2M 14256 FAIRCHILD 16+ SOP
H1260NL 10280 パルス 15歳以上 SMD
HA17324 3948 ルネサス 14+ DIP-14
HA17324ARPEL-EQ 7361 ルネサス 15歳以上 SOP-14
HCF4051BEY 3919 ST 16+ 浸漬
HCF4052M013TR 7598 ST 13+ SOP-16
HCF4060BE 18658 ST 14+ 浸漬
HCNR200 6587 AVAGO 15歳以上 DIPSOP
HCNR200-000E 7432 AVAGO 15歳以上 浸漬
HCNW2611-000E 5720 AVAGO 16+ DIP-8
HCNW4502 6210 AVAGO 13+ SOP
HCPL-0466 3551 AVAGO 15歳以上 SOP-8
HCPL-0630 15108 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL-0639 5791 FAIRCHILD 13+ SOP-8
HCPL-181-000E 9000 AVAGO 16+ SOP-4
HCPL-2602 8795 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL2630SD 2204 FSC 16+ SOP
HCPL-2731 15179 AVAGO 13+ DIPSOP
HCPL-3120 9870 AVAGO 15歳以上 DIPSOP
HCPL-316J 13751 AVAGO 12歳以上 SOP-18
HCPL-4504 21001 AVAGO 16+ DIPSOP
HCPL-4506 12623 AVAGO 14+ DIP-8
HCPL-7840-500E 5971 AVAGO 15歳以上 SOP
HCPL-786J 13822 AVAGO 16+ SOP-16
HD06-T 54000 DIODES 15歳以上 SMD
HD64F3687FPV 3168 ルネサス 14+ TQFP-64
HD74LS00P 8647 ルネサス 16+ DIP-14
HD74LS04P 8718 ルネサス 13+ DIP-14
HD74LS125P 8931 ルネサス 15歳以上 浸漬

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