シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
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金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ

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型式番号 :15P03C2
原産地 :深セン中国
最低順序量 :ネゴシエーション
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
受渡し時間 :1 - 2 週
包装の細部 :囲まれる
製品名 :mosfet 力トランジスター
タイプ :金属酸化膜半導体
力 :-30V/-60A
R DS () :6.8mΩ (typ。)@V GS =-4.5V
フィーチャー :険しい
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金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ

 

Mosfet力トランジスター記述

 

-30V/-60A
R DS () = 4.8mΩ (typ。)@V GS =-10V
R DS () = 6.8mΩ (typ。)@V GS =-4.5V
信頼でき、険しい
利用できるハロゲン無料のデバイス
(迎合的なRoHS)

 

Mosfet力トランジスター塗布

 

高周波ポイントの負荷同期木びき台のコンバーター
ネットワーキングDC-DCのパワー系統
動力工具の塗布

 

命令し、示す情報

 

C2
15P03
YYXXXJWW G

 

パッケージ コード
C2:
日付コード アセンブリ材料
YYXXX WW G:ハロゲンは放します

 

注:HUAYIの無鉛プロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットのブリキ板Termi-死にます
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に要求します会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義します
自由な無鉛(迎合的なRoHS)およびハロゲンを意味する「緑」(BrかCLは重量900ppmを超過しません
BrおよびCLの同質な材料そして合計は重量1500ppmを超過しません)。
HUAYIはこのprへの変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保します
この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。

 

絶対最高評価

 

 

金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ

典型的なオペレーティング特性

 

金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ

 

 

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