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4インチのシリコンの薄片CZ Nのタイプ リンによって添加されるオリエンテーション100テスト等級4"テスト ウエファー
PAM-XIAMENは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、シリコン基板からの化合物半導体、12"への1'からの直径が付いているPAM-XIAMENの提供の半導体のシリコン基板への範囲を『（25.4 mm） 『開発する（300のmm）。私達はどちらかのCz （Czochralski）またはFZ （浮遊物の地帯）のシリコン基板を働かせる。磨くプロセスはまた標準に従って半なされる（半導体装置および材料の国際規格）。私達はまたシリコン基板の超薄いウエファー、ケイ素酸化物のウエファーSiO2の薄膜、窒化珪素のウエファーSi3N4の薄膜、メタライゼーション、およびepiのウエファー サービスを働かせる。
4inchシリコンの薄片CZ Nのタイプ リンによって添加されるオリエンテーション100テスト等級4"テスト ウエファー
| 等級 | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径（mm） | 抵抗（Ω•cm） |
| テスト | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 顧客の要求 |
| ダミー | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 顧客の要求 |
| 矯正 | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 顧客の要求 |
| 変数 | 単位 | 価値 |
| 結晶の構造 | - | モノクリスタル |
| 成長の技術 | - | CZ テスト等級 |
| 水晶オリエンテーション | - | 100±0.5° |
| 導電率のタイプ | - | N |
| 添加物 | - | リン |
| 直径 | mm | 100±0.2mm |
| 抵抗 | Ωcm | 1-10 |
| 厚さ | um | 500±20µm |
| TTV | um | < 15 um |
| 弓 | um | - |
| ゆがみ | um | ≤20 um |
| （G）混乱 | um | 顧客の標準 |
| 場所の平坦混乱 | um | 顧客の標準 |
| 端の除外ゾーン | mm | 半STDか顧客の要求 |
| LPD | - | |
| 酸素濃度 | ppma | <1E16/cc |
| カーボン集中 | ppma | <1E16/cc |
| RRG | - | - |
| 前部表面 | - | 磨かれる 表面Roughness<0.3nm |
| 背部表面 | - | エッチングされる |
| 端の表面状態 | 半STDか顧客の要求 | |
| 第一次平らな長さ | mm | 半STD |
| 第一次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| 二次平らな長さ | mm | 半STD |
| 二次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| レーザーの印 | - | 半STDか顧客の要求 |
| 包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる、 ヒート シールされたプラスチック内部/アルミ ホイル外袋、 真空のパッキング |
|
| 条件は顧客によって特定なら、それに応じて調節する | ||
シリコンの薄片は何のために使用されるか。
シリコンの薄片の第一次使用は集積回路にある。集積回路は毎日現代社会の使用装置の多数に動力を与える。コンピュータおよびsmartphonesはこの技術に依存している装置のちょうど2つである。他の半導体が時間外でテストされてしまったが、ケイ素は安定した選択であると証明した。他の使用はセンサー、タイヤ空気圧 センサー システムのような、および太陽電池を含んでいる。シリコンの薄片は電気を作成するために日光およびこれの光子を次々と吸収する。
シリコンの薄片を捜しているか。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい