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EPD、2"のUndopedゲルマニウムのウエファー- Powerwayのウエファー
PAM-XIAMENはゲルマニウムのウエファーに単結晶を提供し、VGF/LECによって育つウエファー私達に2インチからの6インチへ直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業にGEのウエファーを提供することで強い利点がある。ゲルマニウムのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のゲルマニウムのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用で広く利用されている。PAM-XIAMENはあなたの独特なゲルマニウムの条件を満たすために低い転位およびepiの準備ができたゲルマニウムのウエファーを提供できる。
ゲルマニウムのウエファーの概要の特性
一般的な特性は構成する | 、= 5.6754 Å立方 | ||
密度:5.765 g/cm3 | |||
融点:937.4 oc | |||
熱伝導性:640 | |||
結晶成長の技術 | Czochralski | ||
利用できる添加 | Undoped | Sbの添加 | 添加またはGa |
伝導性のタイプ | / | N | P |
抵抗、ohm.cm | >35 | < 0.05 | 0.05 – 0.1 |
EPD | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 |
< 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 |
ゲルマニウムのウエファーの指定
項目 | 指定 | 注目 |
成長方法 | VGF | |
伝導のタイプ | undoped | |
添加物 | どれも | |
ウエファーDiamter | 2 | インチ |
水晶オリエンテーション | (100)、(111)、(110) | |
厚さ | 200~550 | um |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | 顧客に要求 | |
RTの抵抗 | (0.001~80) | Ohm.cm |
腐食ピット密度 | <5000 | /cm2 |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
準備ができたEpi | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
ゲルマニウムのウエファー プロセス
ゲルマニウムのウエファーの工程では、残余の処理からのゲルマニウムの二酸化物は塩素処理および加水分解のステップで更に浄化される。
1) 高い純度のゲルマニウムは地帯の精錬の間に得られる。
2) ゲルマニウムの水晶はCzochralskiプロセスによって作り出される。
3) ゲルマニウムのウエファーはステップを切り、ひき、そしてエッチングする複数によって製造される。
4) ウエファーは点検きれいになり。このプロセスの間に、ウエファーは磨かれた単一の側面であるまたは注文条件に従って磨かれる二重側面はepi準備ができたウエファー来る。
5) ウエファーは窒素の大気の下の単一のウエファーの容器で、詰まる。
適用:
ゲルマニウムのブランクか窓は商業保証、消火活動および産業モニター装置のために夜間視界およびthermographicイメージ投射解決で使用される。また、それらは遠隔温度の測定のために分析的な、測定装置、窓、およびレーザーのためにミラーのためにフィルターとして使用される。
薄いゲルマニウムの基質はIII-Vの三重接続点の太陽電池でそして力によって集中されるPV (CPV)システムのために使用される
PAM-XIAMENの提供のゲルマニウムのウエファー。プロジェクトか使用がある、私達に競争価格で利用できるゲルマニウムのウエファーがある。学ぶために私達を私達がすべてのあなたのウエファーの必要性とのいかにについての助けてもいいか詳細を今日尋ねなさい。