sicのウエファー

6H NのタイプSiCのウエファー、模造の等級、2"サイズ- SiCのウエファーの製造者 PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供します。私達はGaNepitaxydevice、powe.........

SiCの基質/ウエファー（150mm、200mm）の炭化ケイ素の陶磁器の優秀なCorrosionSingleの水晶単一の側面はシリコンの薄片sicのウエファーの磨くウエファーの製造業者の炭化ケイ素SiC Wafer4H-N SIC ingots/200mm SiCのウエファー200mm SiCのウエ......

SiC種子ウエファー 6インチ 8インチ 4H-Nタイプ生産グレード 6インチ 8インチ SiCシードウエフルの抽象 SiC種子ウエファは,特に電源電子機器の生産において,シリコンカービッド (SiC) の結晶成長プロセスにおいて重要な役割を果たします.単結晶SiCの成長の基礎を設けている厳.........

SICのウエファー 半導体ウエハー、株式会社（SWI）は電子および光電子工学の企業に良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）を提供する。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温......

6inch 4H-SiC基板 Dレベル SIタイプ 350.0±25.0μm MPD≦5/cm2 抵抗率≧1E5Ω・cm パワー・マイクロ波デバイス用 概要 生産性向上のためのサイズ150 mm のウエハー サイズにより、100 mm のデバイス製造に比べて規模の.........

ダイヤモンドスラー 500ml 5L 水性ダイヤモンドスラーリ LED基板 SiCウェーファー用 ダイヤモンドスラリーは,LED基板,SiCウエファー,ICチップ,細陶器,光学ガラス,宝石,金属,セメント化カービッドなどの様々な材料を磨き,ラッピングするために広く使用されています. 主要な特.........

製品説明 酸化結合シリコンカービッドセラミックは 高温耐性,耐腐蝕性,高屈強性などの優れた特性がありますオキシード結合シリコンカービッドの熱伝導性は,コルディアライト・ムリライトと高アルミニウム炉棚の10倍です建設陶器,衛生陶器,日用陶器,電気陶器,耐火材料,粉末金属シンターストーブに広く使用さ........

製品説明: シリコンカービッド・ウエファーボート (シリコンカービッド・ウエファーボート) は,シリコンカービッドで作られたウエファー用のウエファー栽培装置である 材料は,ウエーファー用のウエーファー栽培装置は,生物学と半導体分野における主要な材料です. 質と性能が直接的にウェファーの質と成長効........

セラミックロボットアームは半導体機器の操作に役立っています半導体機器のロボットの手に相当し,指定された場所にウェーファーシリコンチップを運ぶ責任を負っていますワッファーシリコンチップは他の粒子に対して非常に脆弱であるため,一般的に真空環境で行われます. この環境では,ほとんどの材料のロボットアーム.......

HTCVD シリコンカービード (CVD SIC) エピタキシ成長炉 この装置は,炭素基/セラミック基の材料のシリコンカービードコーティングに使用されます.特に半導体の表層にシリコンカービッドが堆積し,エピタキシアル受容体とエッチリング. エピタキシアルベース 高純度グラフィットディスク 円の溝で.......

OEMは技術的な陶磁器の部品の半導体の陶磁器の部品の陶磁器のウエファーの処理を進めた 物質的な特性のデータ用紙 Al2O3 ZrO2/Y2O3 ZrO2/MgO MgO SiC 焼結するS.........