最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
Nのタイプ、GaSbの水晶ウエファーの基質、3"、Epi準備ができた主な等級
LEC （液体の内部に閉じ込められたCzochralski）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたはundopedのepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENはGaSbのウエファー–ガリウム アンチモン化物--を提供する（100）。ガリウム アンチモン化物（GaSb）は要素ガリウム（Ga）およびアンチモン（Sb）からなされる結晶の混合物である。
3" GaSbのウエファーの指定
| 項目 | 指定 |
| 伝導のタイプ | Nタイプ |
| 添加物 | テルル |
| ウエファーの直径 | 3" |
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° |
| ウエファーの厚さ | 600±25um |
| 第一次平らな長さ | 22±2mm |
| 二次平らな長さ | 11±1mm |
| キャリア集中 | （1-20） x1017cm-3 |
| 移動性 | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2x103cm-2 |
| TTV | <12um |
| 弓 | <12um |
| ゆがみ | <15um |
| レーザーの印が付いていること | 要望に応じて |
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E |
| 準備ができたEpi | はい |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
GaSbのウエファーのバンド構造およびキャリア集中は基本的な変数、移動性およびホール効果の高い電界の輸送特性を含んでいる
、衝撃イオン化、組み変え変数
基本的な変数
| 故障分野 | ≈5·104 |
| 移動性の電子 | ≤ V-1 3000のcm2のs-1 |
| 移動性の穴 | ≤ V-1 1000のcm2のs-1 |
| 拡散係数の電子 | ≤ 75 cm2/s |
| 拡散係数の穴 | ≤ 25 cm2/s |
| 電子熱速度 | 5.8·105 m/s |
| 穴の熱速度 | 2.1·105 m/s |
 | 電子ホール移動性対異なった添加のレベルのための温度。 1. Nd= 1.7·1018 cm3 2. Nd= 2.8·1017 cm3 壊されたカーブは実験データを表す。連続的なカーブは理論的な計算を表す。 |
| 電子ホール移動性対電子集中NO T=77 K。 開いた円は同じ残りのアクセプター集中Naをおよそ持っているサンプルのグループと測定を表す。完全な記号:より低い残りのアクセプター集中の標本。実線は償いのアクセプター密度の異なった価値のための理論的な計算を-単独で（Na-）または二倍に表す（Na--）イオン化される。 1. Na- = 1.2·1017またはNa--= 0.4·1017 cm3 2. Na- =2.85·1017またはNa--=0.95·1017 cm3 3. Na- = 4.5·1017またはNa--= 1.5·1017 cm3 |
| 穴のホール移動性対異なった補償のレベルの温度。 1. Na= 1.39·1017 cm3;Nd= 9·1015 cm3; 2. Na= 1.3·1017 cm3;Nd= 9.5·1016 cm3; 3. Na= 1.1·1017cm-3;Nd= 9.5·1016 cm3 |
| 穴のホール移動性の温度の依存。 MBEの技術。300 Kの穴集中: 1. - 2.28·1016 cm3; 2. - 1.9·1019 cm3。 |
| 穴のホール移動性対穴集中、300 K。 実験データは5枚のペーパーから取られる |
| 電子漂流速度の計算された分野の依存、300 K。 |
| 計算された（固体）終わりの実験（ポイント）電流密度の依存対電界、300 K。 |
| Γ、Lの電子の一部分、X電界の機能として谷、300 K n=6.8·1016 cm3 |
| 電界の機能として電子温度、T=77 K。 完全な、開いた円-実験データ カーブは計算される |
| αiそしてβi>の依存対1/F.T=77 K 開いた記号:F （111）。 満たされた記号:F （100）。 |
| αiそしてβiの依存対1/F）。T=300 K F （100）。 |
| 放射寿命対供給の集中、T =77 K、GaSb （Te）。 実験データからこれらの依存を得るためには内部量子効率のηの価値は取られた: 開いた円η=0.8; 満たされた円η=1; |
| 非放射寿命対供給の集中、T =77K、GaSb （Te）。 開いた円のη= 0.8; 満たされた円のη= 1;（Agaev等[1984年]）。 |
| 電子放射の（三角形）および非放射（正方形の）寿命対アクセプター集中、p-GaSb、T=77 K。 |
| 電子寿命対異なったアクセプター集中の温度。 Na （cm3）:1. 5·1018;2. 2.2·1019;3. 3.5·1019。 |
| 放射組み変え係数 | ~10-10 cm3 s-1 |
| オーガー係数 | |
| 77K | 2·10-29 cm6s-1 |
| 300 K | 5·10-30 cm6s-1 |
GaSbのウエファーを捜しているか。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、すべてのためのあなたの主力の場所ウエファー、GaSbのウエファーを含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー今日尋ねなさい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしている!