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InSbのUndopedウエファー、2"、磨かれたウエファー、準備ができたEpi
PAM-XIAMENは磁気抵抗を使用してフォトダイオードのための高い純度の単結晶のInSb （インジウムのアンチモン化物）のウエファーをかphotoelectromagnetic装置、磁界センサーまたはSpitzerの宇宙望遠鏡の赤外線配列のカメラの探知器のいくつかのInSbの高いキャリア移動度に、よるホール効果素子、速いトランジスター（動的切換えの点では）製造します。私達の標準的なウエファーの直径は磨かれたウエファーおよび空白のウエファーとのさまざまな厚さそして異なったオリエンテーション（100）で1インチから3インチ、ウエファーまで、（111）、（110）作り出すことができます及びます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、機械等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定にInSbの文書を、提供します。
InSbのUndopedウエファー、2"、磨かれたウエファー、準備ができたEpi
| ウエファーの指定 | |
| 項目 | 指定 |
| ウエファーの直径 |
2 ″ 50.5±0.5mm |
| 水晶オリエンテーション |
2 ″ （111） AorB±0.1° |
| 厚さ |
2 ″ 625±25um |
| 第一次平らな長さ |
2 ″ 16±2mm |
| 二次平らな長さ |
2 ″ 8±1mm |
| 表面の終わり | 、P/P P/E |
| パッケージ | Epi準備ができた、単一のウエファーの容器かCFカセット |
| 電気および指定を添加します | |
| 伝導のタイプ | nタイプ |
| 添加物 | Undoped |
| EPDのcm-2 | ≤50 |
| 移動性cmの² V-1s-1 | ≥4*105 |
| キャリア集中cm3 | 5*1013-3*1014 |
InSbのウエファーの300 Kの基本的な変数
| 結晶構造 | 亜鉛閃亜鉛鉱 |
| 対称のグループ | Td2-F43m |
| 1 cm3の原子の数 | 2.94·1022 |
| Debyeの温度 | 160 K |
| 密度 | 5.77 g cm3 |
| 比誘電率 | |
| 静的 | 16.8 |
| 高周波 | 15.7 |
| 有効な電子固まり | 0.014mo |
| 有効な穴はmhを集中します | 0.43mo |
| 有効な穴はmlpを集中します | 0.015mo |
| 電子親和力 | 4.59 eV |
| 格子定数 | 6.479 A |
| 光学音量子エネルギー | 0.025のeV |
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、すべてのためのあなたの主力の場所ウエファー、InSbのウエファーを含んでです!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー今日尋ねて下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!