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Pは、InAsの基質、3"、模造の等級タイプします
PAM-XIAMENは赤外線探知器、光起電フォトダイオード探知器、室温の低雑音かより強力な適用のダイオードのレーザーに単結晶のInAs （インジウムのヒ化物）のウエファーを提供します。直径4インチまで。インジウムのヒ化物の(InAs)の水晶は2つの要素、インジウムおよびヒ化物の液体によってCzochralski内部に閉じ込められる(LEC)方法またはVGF方法による成長によって形作られます。ガリウム砒素と同じようなInAsのウエファーis isは直接bandgap材料であり。
インジウムのヒ化物は時々リン化インジウムとともに使用されます。ガリウム砒素と合金にされてそれはインジウムのガリウム砒素-インジウム ガリウム窒化物をもたらすためにIn/Gaの比率のバンド ギャップの扶養家族が付いている材料、ガリウム窒化物が付いている合金になるインジウムの窒化物と同じような方法--を主に形作ります。PAM-XIAMENはあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級のInAsのウエファーを提供できます。より多くのウエファー情報のための私達のエンジニアのチームに連絡して下さい。
3" InAsのウエファーの指定
| 項目 | 指定 |
| 添加物 | 亜鉛 |
| 伝導のタイプ | Pタイプ |
| ウエファーの直径 | 3" |
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° |
| ウエファーの厚さ | 600±25um |
| 第一次平らな長さ | 22±2mm |
| 二次平らな長さ | 11±1mm |
| キャリア集中 | （1-10） x1017cm-3 |
| 移動性 | 100-400cm2/V.s |
| EPD | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| 弓 | <12um |
| ゆがみ | <15um |
| レーザーの印 | 要望に応じて |
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E |
| 準備ができたEpi | はい |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
InAsテスト ウエファーは何ですか。
ほとんどのテスト ウエファーは主な指定から落ちたウエファーです。テスト ウエファーがマラソン、上限R & Dのための試験装置を動かすのに使用され。それらは頻繁にウエファーの発動を促す費用効果が大きい代わりです。
| 赤外線r.i. | ≈3.51 （K） 300 |
| 放射組み変え係数 | 1.1·10-10 cm3/s |
| 音量子エネルギーhνTOへのずっと波 | ≈27 MEV （K） 300 |
| ずっと波LOの音量子エネルギーhνLO | ≈29 MEV （K） 300 |
 | R.i. n対光子エネルギー。 固体カーブは理論的な計算です。 ポイントは実験データ、300 K.を表します。 |
3.75 µm < λのため< 33 µm
n = [11.1 + 0.71/（1-6.5·λ-2） + 2.75/（1-2085·λ-2） - 6·10-4·λ2）]1/2、
λがµn （K） 300の波長であるところ
| 正常な発生反射力対光子エネルギー、300 K |
| n-InAsのための本質的な吸収端の近くの吸収係数。 T=4.2 K |
| 吸収係数対別の供給の集中、300 Kのための光子エネルギー n （cm3）:1. 3.6·1016、2. 6·1017、3. 3.8·1018。 |
基底状態のRydbergエネルギーRX1= 3.5 MEV
| 吸収係数対光子エネルギー、T = 300 K |
| 自由なキャリアの吸収対異なった電子集中の波長。T=300 K。 （cm3）:1. 3.9·1018;2. 7.8·1017;3. 2.5·1017;4. 2.8·1016; |
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