最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
Pは、リン化インジウムのウエファー、4"、テスト等級タイプします
PAM-XIAMENは直径のマイクロエレクトロニックの（HBT/HEMT）および光電子工学の企業（LED/DWDM/PIN/VCSELs）に単結晶INP （リン化インジウム）ウエファーを6インチまで提供します。リン化インジウムの(InP)の水晶は2つの要素、インジウムおよびリン化物の液体によってCzochralski内部に閉じ込められる(LEC)方法またはVGF方法による成長によって形作られます。INPウエファーは重要な半導体材料優秀な電気および熱特性がある、INPウエファー持っていますより高い電子移動度、より高い頻度、低い電力の消費、より高い熱伝導性および低雑音の性能をです。PAM-XIAMENはあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級INPウエファーを提供できます。
より多くのウエファー情報のための私達のエンジニアのチームに連絡して下さい。
Pは、リン化インジウムのウエファー、4"、テスト等級タイプします
| 4" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Pタイプ | |||
| 添加物 | 亜鉛 | |||
| ウエファーの直径 | 4" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm-2 | <1x103cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <15um | |||
| 弓 | <15um | |||
| ゆがみ | <15um | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
リン化インジウムの事実
 | INPの電子漂流速度の依存、300 K.の守備について下さい。 固体カーブは理論的な計算です。 紛砕され、点を打たれたカーブは測定されたデータです。 （MaloneyおよびFrey [1977年]）および（Gonzalezサンチェスの 等[1992年]）。 |
| 高い電界のための電子漂流速度の分野の依存。 T （K）:1. 95;2. 300;3. 400。 （Windhornの の等 [1983年]）。 |
| 異なった温度で電子漂流速度の依存の守備について下さい。 1 -77 K （Gonzalezサンチェスの の等 [1992年]）曲げて下さい。 カーブ2 - 300 K、3つ曲げて下さい- 500 Kを（FawcettおよびHill [1975年]）。 |
| 電子温度対77 Kおよび300 K.のための電界。 （MaloneyおよびFrey [1977年]） |
| 電界の機能としてLおよびXの谷nL/noおよびnX/no、300 K.の電子の一部分。 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 |
| 効率のηの最初は（実線）そしてLSAモードの第2 （破線の）倍音の頻度依存。 モンテ カルロのシミュレーション。 F = Fo + F1·罪（2π·ft） + F2·[罪（4π·ft） +3π/2]、 Fo=F1=35 kV cm-1、 F2=10.5 kV cm-1 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 |
| 縦方向（D||F）および横断（300 K.のDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 |
| 縦方向（D||F）および横断（77KのDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 |
それが直接bandgap III-Vの化合物半導体材料であるのでリン化インジウム(InP)が普通テレコミュニケーション、すなわち、1550のnmの波長に使用する波長の窓の有効なレーザー、敏感なフォトディテクターおよび変調器を作り出すのに使用されています。約1510 nmと1600 nm間の波長に光ファイバー（約0.26 dB/km）で利用できる最も低い減少があります。INPは電子的形態に戻ってレーザー信号および検出の生成およびそれらの信号の転換のための一般的な材料です。ウエファーの直径は2-4インチから及びます。
適用は次のとおりです:
•遠距離上の長距離貨物輸送の光ファイバー関係5000までのkm普通>10 Tbit/s
•地下鉄リング アクセス ネットワーク
•会社ネットワークおよびデータ センタ
•家への繊維
•無線3G、LTEおよび5G基地局への関係
•自由空間の衛星通信
INP基質を捜していますか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。INPウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするINPウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!