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Nは、GaAsのウエファー、2"、テスト等級タイプします
PAM-XIAMENは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結（VGF）およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。
（LEDの塗布のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | |
| ウエファーDiamter | 2、インチ | |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°を離れた（110） | |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3
| |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000cm2/V.sec
| |
| 腐食ピット密度 | <5000/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて
| |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P
| |
| 厚さ | 220~450um
| |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
（LDの適用のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | |
| ウエファーDiamter | 2、インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°off （110） | 利用できる他のmisorientation |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3 | |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <500/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 厚さ | 220~350um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
GaAsの水晶の特性
| 特性 | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4.42 x 1022 |
| 原子量 | 144.63 |
| 故障分野 | およそ4 x 105 |
| 結晶構造 | Zincblende |
| 密度（g/cm3） | 5.32 |
| 比誘電率 | 13.1 |
| 伝導帯、NC （cm-3）の州の有効な密度 | 4.7 x 1017 |
| 原子価バンドの州、Nv （cm-3）の有効な密度 | 7.0 x 1018 |
| 電子親和力（v） | 4.07 |
| 300K （eV）のエネルギー ギャップ | 1.424 |
| 本質的なキャリア集中（cm-3） | 1.79 x 106 |
| 本質的なデバイの長さ（ミクロン） | 2250 |
| 本質的な抵抗（オームcm） | 108 |
| 格子定数（オングストローム） | 5.6533 |
| 線形熱膨張率、 | 6.86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT （1のdeg C） | |
| 融点（deg C） | 1238 |
| 少数キャリアの寿命（s） | およそ10-8 |
| 移動性（漂流） | 8500 |
| （/V-s cm2の） | |
| µnの電子 | |
| 移動性（漂流） | 400 |
| （/V-s cm2の） | |
| µpの穴 | |
| 光学音量子エネルギー(eV) | 0.035 |
| 音量子の平均自由行程（オングストローム） | 58 |
| 比熱 | 0.35 |
| （J/g deg C） | |
| 300 Kの熱伝導性 | 0.46 |
| （W/cm-degC） | |
| 温度伝導率（cm2/秒） | 0.24 |
| 蒸気圧(Pa) | 1050のdeg Cの100; |
| 900のdeg Cの1 |
| 波長 | 索引 |
| （µm） | |
| 2.6 | 3.3239 |
| 2.8 | 3.3204 |
| 3 | 3.3169 |
| 3.2 | 3.3149 |
| 3.4 | 3.3129 |
| 3.6 | 3.3109 |
| 3.8 | 3.3089 |
| 4 | 3.3069 |
| 4.2 | 3.3057 |
| 4.4 | 3.3045 |
| 4.6 | 3.3034 |
| 4.8 | 3.3022 |
| 5 | 3.301 |
| 5.2 | 3.3001 |
| 5.4 | 3.2991 |
| 5.6 | 3.2982 |
| 5.8 | 3.2972 |
| 6 | 3.2963 |
| 6.2 | 3.2955 |
| 6.4 | 3.2947 |
| 6.6 | 3.2939 |
| 6.8 | 3.2931 |
| 7 | 3.2923 |
| 7.2 | 3.2914 |
| 7.4 | 3.2905 |
| 7.6 | 3.2896 |
| 7.8 | 3.2887 |
| 8 | 3.2878 |
| 8.2 | 3.2868 |
| 8.4 | 3.2859 |
| 8.6 | 3.2849 |
| 8.8 | 3.284 |
| 9 | 3.283 |
| 9.2 | 3.2818 |
| 9.4 | 3.2806 |
| 9.6 | 3.2794 |
| 9.8 | 3.2782 |
| 10 | 3.277 |
| 10.2 | 3.2761 |
| 10.4 | 3.2752 |
| 10.6 | 3.2743 |
| 10.8 | 3.2734 |
| 11 | 3.2725 |
| 11.2 | 3.2713 |
| 11.4 | 3.2701 |
| 11.6 | 3.269 |
| 11.8 | 3.2678 |
| 12 | 3.2666 |
| 12.2 | 3.2651 |
| 12.4 | 3.2635 |
| 12.6 | 3.262 |
| 12.8 | 3.2604 |
| 13 | 3.2589 |
| 13.2 | 3.2573 |
| 13.4 | 3.2557 |
| 13.6 | 3.2541 |
GaAsテスト ウエファーは何ですか。
ほとんどのGaAsテスト ウエファーは主な指定から落ちたウエファーです。テスト ウエファーがマラソン、上限R & Dのための試験装置を動かすのに使用され。それらは頻繁にウエファーの発動を促す費用効果が大きい代わりです。
| 故障分野 | ≈4·105 V/cm |
| 移動性の電子 | ≤8500 cm2 V-1s-1の |
| 移動性の穴 | ≤400 cm2 V-1s-1の |
| 拡散係数の電子 | ≤200 cm2/s |
| 拡散係数の穴 | ≤10 cm2/s |
| 電子上昇温暖気流の速度 | 4.4·105 m/s |
| 穴の上昇温暖気流の速度 | 1.8·105m/s |
移動性およびホール効果
| 電子ホール移動性は対別の添加のための温度水平になります。 1. 最下のカーブ:Nd=5·1015cm-3; 2.中間のカーブ:Nd=1015cm-3; 3。上のカーブ:Nd=5·1015cm-3 300 Kの近くの温度の弱く添加されたGaAsのため、電子ホール移動性 µH=9400 （300/T） V-1 cm2のs-1 |
| 電子ホール移動性対補償（高温）の異なった添加のレベルそして程度のための温度: 円を開けて下さい:Nd=4Na=1.2·1017 cm3; 開いた正方形:Nd=4Na=1016 cm3; 三角形を開けて下さい:Nd=3Na=2·1015 cm3; 固体カーブは純粋なGaAsのための計算を表します 300 Kの近くの温度の弱く添加されたGaAsのため、電子ドリフト移動度 µn=8000 （300/T） V-1 2/3のcm2のs-1 |
| 漂流およびホール移動性対異なった程度の補償T= 77 Kのための電子集中 |
| 漂流およびホール移動性対異なった程度の補償T= 300 Kのための電子集中 |
ホール移動性のためのおおよその方式
. µn =ΜOH/（1+Nd·10-17） 1/2、ところΜOH≈9400 （V-1 cm2 s-1）、cm3のNd-の
| 弱い磁界の純粋なnタイプGaAsのためのホールの要因の温度の依存 |
| 3つの高純度のサンプルのためのホール移動性の温度の依存 |
300 Kの近くの温度のGaAsのため、穴のホール移動性
（cm2V-1s-1）、（p - cm3の…）
300 Kの近くの温度の弱く添加されたGaAsのため、ホール移動性
µpH=400 （300/T） 2.3 （V-1 cm2のs-1）。
| 穴のホール移動性対穴密度。 |
T= 300 K、純粋なGaAsのホールの要因
rH=1.25.
高い電界の輸送特性
| 電子漂流速度の分野の依存。 固体カーブは計算されました。 紛砕され、点を打たれたカーブは測定されたデータ、300 Kです |
| 高い電界、300 K.のための電子漂流速度の依存の守備について下さい。 |
| 異なった温度で電子漂流速度の依存の守備について下さい。 |
| LおよびXの谷の電子の一部分。77、160、および300 K、Nd=0の電界Fの機能としてnLそしてnX 点を打たれたカーブ- L谷、ダッシュで結ばれるカーブ- Xの谷。 |
| 77、160、および300 K、Nd=0の電界Fの機能としてΓ、LおよびXの谷の中間エネルギーE 固体カーブ- Γの谷、点を打たれたカーブ- L谷、紛砕されたカーブ- Xの谷。 |
| 電子差動移動性の頻度依存。 µdは差動移動性の実質部品です;差動移動性のµd*isの想像部品。 F= 5.5 kV cm-1 |
| 縦方向の電子拡散係数Dの分野の依存||F. 固体カーブ1および2は理論的な計算です。ダッシュで結ばれるカーブ3、4、および5は実験データです。 カーブ1 -からの カーブ2 -からの カーブ3 -からの カーブ4 -からの カーブ5 - |
| 異なった温度で穴の漂流速度の依存の守備について下さい。 |
| 高い電界の飽和穴の速度の温度の依存 |
| 穴の拡散係数の分野の依存。 |
衝撃イオン化
GaAsの衝撃イオン化に関する2つの学派があります。
最初の1つは異なった結晶学の方向のためのαiそしてβiのanisothropyのようなそのような微妙な細部を区別するにはGaAsの電子そして穴のための衝撃イオン化率のαiそしてβiが十分に正確に知られていることを示します。このアプローチはDmitrievによって仕事で等詳しく記述されています[1987年]。
| 実験カーブのαiそしてβi対GaAsのための1/F。 |
| 実験カーブのαiそしてβi対GaAsのための1/F。 |
| 実験カーブのαiそしてβi対GaAsのための1/F。 |
αiの価値および別によって報告されるまたはもっと一桁によって同じ電界のためのβiの第2学校の焦点は異なります研究します。この視点はKyuregyanおよびYurkov [1989年]によって説明されます。このアプローチに従って私達はそのαi = βiを仮定してもいいです。イオン化の分野の依存のためのおおよその方式は評価します:
αi = β Iの=αoexp [δ - （δ2 + （F0/F） 2） 1/2]
αo = 0.245ところ·106 cm-1;β = 57.6 Fo = 6.65·106ボルトcm-1 （KyuregyanおよびYurkov [1989年]）。
| 絶縁破壊電圧そして故障分野対突然のp-nの接続点のための密度の添加。 |
組み変え変数
| 純粋なnタイプ材料（| 1014cm-3） | |
| 穴の最も長い寿命 | τp ~3·10-6 s |
| 拡散距離LP = （Dp·τp） 1/2 | LP ~30-50のµm。 |
| 純粋なpタイプ材料 | |
| （a）低い注入のレベル | |
| 電子の最も長い寿命 | τn | 5·10-9 s |
| 拡散距離Ln = （Dn·τ n） 1/2 | Ln ~10のµm |
| （b）高い注入のレベル（満たされたトラップ） | |
| 電子の最も長い寿命 | τ ~2.5·10-7 s |
| 拡散距離Ln | Ln | 70 µm |
| 表面の組み変え速度対密度の添加 異なった実験ポイントは異なった表面の治療法に対応します。 |
放射組み変え係数
| 90 K | 1.8·10-8cm3/s |
| 185 K | 1.9·10-9cm3/s |
| 300 K | 7.2·10-10cm3/s |
オーガー係数
| 300 K | ~10-30cm6/s |
| 500 K | ~10-29cm6/s |
GaAsの基質を捜していますか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。GaAsのウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするGaAsのウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!