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トランジスターmosfet n

1 - 20 の結果 トランジスターmosfet n から 78 製品

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF.........

Time : May,30,2024
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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

Time : May,30,2024
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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz プッシュ・プル RF パワートランジスタ MOSFET 製造者: TT電子 製品カテゴリー: TT電子 ブランド: セメララボ / TT電子 D2085UKは28Vの電圧で動作し,120Wの出力に対応で.........

Time : Apr,24,2025
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MBRF30100VT+のダイオードの三極管のトランジスターMosfetのダイオードの配列600V 15A To247 MBRF30100VT+ プロダクトParamenters 製造業者: 標準 包装:.........

Time : Apr,21,2025
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トランジスターMOSFET Nチャネル30A 200V 75MOHM 10V MOSの管IRFP250NPBF プロダクト 記述: 1.IRFP250NPBFトランジスター、MOSFETのNチャネル、30 A、200ボルト、75 MoHM、10ボルト、4ボルトパッケージに247 2.Theは商業........

Time : Nov,24,2024
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補足のケイ素力トランジスター 電界効果トランジスタ 半導体 MJ15025G PNP の− MJ15023、MJ15025* ケイ素力トランジスター MJ15023 および MJ15025 は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用の.........

Time : May,30,2024
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PLC DCトランジスタMOSFETモジュール24Vトリガ8 CHホームインテリジェント制御用 トランジスタとは 固体半導体デバイスであるトランジスタは、検出、整流、増幅、スイッチング、調整、信号変調、および他の多くの機能に使用できます。 トランジスタは、入力電圧に基づいて電流の流出を制御する.........

Time : Dec,09,2024
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IRF7314TRPBF SOP-8 2のP-channel 20V 5.3Aの電界効果トランジスタ(MOSFETs) 指定 船積み: 1つ、私達はDHL、UPS、Federal Express、TNTおよびEMSによって船積み世界中できる。 包装は非常に安全、強い.........

Time : Nov,30,2024
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CSD75207W15チタニウムのトランジスターMOSFETは二重P-CH 3.9A 9 Pin DSBGA T/Rを配列するプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN (米国) EAR99 部分の状態 活動的.........

Time : Nov,23,2024
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MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル 製品範囲 MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOh.........

Time : Nov,26,2024
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3A SS36 SMB表面の取付けられたショットキーの障壁の整流器ダイオードのトランジスターMOSFET橋整流器の電子部品 名前: 3A SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320 SMA/DO-214ACのパッケー.........

Time : Nov,26,2024
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SIR422DP-T1-GE3 IC チップ集積回路 IC トランジスタ MOSFET SO-8...

Time : Nov,26,2024
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Time : Nov,26,2019
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FDMS86181 Mosfet力トランジスターMOSFET 100V/20V N-Chnl力の堀MOSFET 特徴 保護されたゲートMOSFETの技術 MaxrDS () =4.2mΩat VGS =10V、ID =44A MaxrDS () =12mΩat VGS =6.........

Time : Dec,01,2024
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QYTへの歓迎! このプロダクトになされる中国があるJPは作った、中国は5つのタイプをコピーしたり、最もよい価格および適したプロダクトのための私達に連絡する プロダクト細部 包装 管 部分の状態 活動的 トランジスター タイプ NPN 現在-コレクター((最高) IC) 1.........

Time : Dec,02,2024
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SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BSS138 N-Channel 50-V (D-S) MOSFET...

Time : Dec,09,2024
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2N6661JANTXトランジスターMOSFETのN-Channel 90V 0.86A 3 Pin TO-205AD 船積み: 1、私達はDHL、UPS、Federal Express、TNTによって船積み世界中できる。 包装は非常に安全、強い。nitfy私特別な必要性がある2、.........

Time : Nov,27,2024
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製品特質 属性値 製品カテゴリ: MOSFET 様式の取付け: SMD/SMT パッケージ/場合: TSDSON-8 トランジスター極性: N-Channel、P-Ch......

Time : Dec,09,2024
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指定:1.最もよい十分なサービス2.良質3.の競争価格4.は5.を供給します。新しく、元の船積み:1。項目は確認された支払の後で2-3仕事日以内に普通出荷されます。2。それはDHL/UPS/FEDEX/TNT/EMSか他の国際海運の方法によって出荷されます。3。運送業者によって引き起こされた事故およ......

Time : Mar,10,2022
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PはIRF9540NPBF TO-220 100V 23Aの高いスイッチング・トランジスタMOSFET力を運びます記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET®力のMOSFETsが有名の.........

Time : Jun,12,2024
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