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高圧整流器ダイオード

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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シティ：shenzhen

国/地域：china

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トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者

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型式番号 :1503C1

原産地 :シンセン中国

最低順序量 :交渉

支払の言葉 :L/C T/T ウェスタン・ユニオン

供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/

受渡し時間 :1 - 2週

包装の細部 :囲まれる

製品名 :高圧Mosfetのトランジスター

R DS （） = 7.1mΩ （タイプ。） :@V GS = 10V

RのDSの（） = 10.0のmΩ （タイプ。） :@V GS = 4.5V

特徴 :険しい

タイプ :原物

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製品の説明を表示

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者

高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴

力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、PおよびN –層にN+の基質に装置表面から突き通るために力MOSFETの形ほとんどある切られる。N+の層は低い抵抗材料との重く添加された層であり、N-の層は抗力が高い地域の軽く添加された層である。

高圧Mosfetのトランジスター特徴の記述

30V/34A
R DS （） = 7.1mΩ （タイプ。） @V GS = 10V
@V RのDSの（） = 10.0のmΩ （タイプ。）のGS = 4.5V
100%のなだれはテストした
信頼でき、険しい
自由なハロゲンおよび利用できる緑装置
（迎合的なRoHS）

高圧Mosfetのトランジスター塗布

転換の適用
DC/DCのための力管理
電池の保護

命令し、示す情報

C1
1503
YYXXXJWW

パッケージコード

C1:DFN3*3-8L

日付コード

YYXXX WW

注:HUAYIの無鉛プロダクトは付加材料および100%の無光沢のブリキ板Termi-死ぬために形成の混合物/含んでいる
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に超過するために会うか、または要求する
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義する
「緑」無鉛（迎合的なRoHS）および自由のハロゲンを意味するため（BrかCLは重量900ppmを超過しない
BrおよびCLの同質な材料そして合計は重量1500ppmを超過しない）。
HUAYIはこのpr-への変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保する
この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。

絶対最高評価

典型的なオペレーティング特性

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