FDMS86181 NチャネルMosfetのトランジスター、Mosfetモーター運転者回路はゲートを保護した
型式番号:FDMS86181
最低順序量:私達に連絡しなさい
支払の言葉:Paypal、ウェスタンユニオン、TT
供給の能力:1日あたりの50000部分
受渡し時間:商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される
包装の細部:QFN8
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正会員
Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDMS86181 Mosfet力トランジスターMOSFET 100V/20V N-Chnl力の堀MOSFET
特徴
- 保護されたゲートMOSFETの技術
- MaxrDS （） =4.2mΩat VGS =10V、ID =44A
- MaxrDS （） =12mΩat VGS =6V、ID =22A
- 加えなさい
- 50%
- 他のMOSFETの製造者より低いQrrは切換えnoise/EMIを下げる
- MSL1強いパッケージ・デザイン
- 100% UILはテストした
- 迎合的なRoHS
概説
このN-Channel MV MOSFETはフェアチャイルドの半導体の保護されたゲートの技術を組み込む高度のPowerTrenchの®プロセスを使用して作り出される。このプロセスはオン州の抵抗を最小にするために今までのところではクラス柔らかいボディ ダイオードのベストの優秀な転換の性能を維持するために最大限に活用された。
適用
- 第一次DC-DC MOSFET
- DC-DCおよびAC-DCモーターの同期整流器ドライブ
- 太陽
FDMS86181 NチャネルMosfetのトランジスター、Mosfetモーター運転者回路はゲートを保護した
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