CSD75207W15チタニウムのトランジスターMOSFETは二重P CH 3.9A 9 Pin DSBGA T/Rを配列する
型式番号:CSD75207W15
原産地:フィリピン
最低順序量:パッケージQty
支払の言葉:T/T
供給の能力:1000+
受渡し時間:2週
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Shenzhen China
住所：
国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 2 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
CSD75207W15チタニウムのトランジスターMOSFETは二重P-CH 3.9A 9 Pin DSBGA T/Rを配列する
プロダクト技術仕様
| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| SVHC | はい |
| 自動車 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | 力MOSFET |
| 構成 | 二重 |
| 加工技術 | NexFET |
| チャネル モード | 強化 |
| チャネル タイプ | P |
| 破片ごとの要素の数 | 2 |
| 最高のゲート源電圧（v） | -6 |
| 最高のゲートの境界の電圧（v） | 1.1 |
| 最高の連続的な下水管現在の（a） | 3.9 |
| 最高のゲートの源の漏出流れ（nA） | 100 |
| 最高IDSS （uA） | 1 |
| 最高の下水管の源の抵抗（MOhm） | 54@4.5V |
| 典型的なゲート充満@ Vgs （NC） | 2.9 |
| 典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） | 458 |
| 最高の電力損失（MW） | 700 |
| 典型的な落下時間（ns） | 16 |
| 典型的な上昇時間（ns） | 8.6 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） | 32.1 |
| 典型的なTurn-On遅れ時間（ns） | 12.8 |
| 最低の実用温度（°C） | -55 |
| 最高使用可能温度（°C） | 150 |
| 包装 | テープおよび巻き枠 |
| 製造者のパッケージ | DSBGA |
| ピン・カウント | 9 |
| 標準パッケージの名前 | BGA |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 0.28 （最高） |
| パッケージの長さ | 1.5 |
| パッケージの幅 | 1.5 |
| PCBは変わった | 9 |
| 鉛の形 | 球 |
CSD75207W15チタニウムのトランジスターMOSFETは二重P CH 3.9A 9 Pin DSBGA T/Rを配列する
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