製品カテゴリ

速い回復整流器ダイオード

[57]

一般目的の整流器ダイオード

[35]

ショットキー障壁の整流器ダイオード

[45]

ツェナーダイオード

[19]

SMDのトランジスター

[8]

ケイ素橋整流器

[12]

高速スイッチング・ダイオード

[7]

TVの一時的な電圧サプレッサーのダイオード

[8]

低いVFショットキーのダイオード

[1]

ESDのサプレッサーのダイオード

[1]

低電圧モスフェット

[4]

高圧モスフェット

[1]

企業との接触

Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.

シティ：dongguan

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：MsMarissa Wang

表示連絡先の詳細

企業との接触

0.35W Nチャネル0.22A BSS138分野のトランジスターMosfets

最新の価格を尋ねる

型式番号 :BSS138

原産地 :中国

最低順序量 :3000pcs

支払の言葉 :T/T、MoneyGram

供給の能力 :月10億部分の

受渡し時間 :4-5weeks

包装の細部 :3000pcs/巻き枠

タイプ :N-Channel 50-V （D-S） MOSFET

素材 :ケイ素

パッケージ :SOT-23

下水管源の電圧 :50V

連続的な下水管の流れ :0.22A

電力損失 :0.35W

適用 :ドライバー：リレー、ソレノイド、ランプ、ハンマー、ディスプレイ、メモリー、トランジスターなど

特徴 :険しく、信頼できる

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める

BSS138 N-Channel 50-V （D-S） MOSFET

V （BR） DSS

RDS （） MAX

50ボルト

3.5Ω@10V

220mA

6Ω@4.5V

BSS138 SOT-23 Datasheet.pdf

特徴

1。極端に低いRDSのための高密度細胞の設計（）
2.RuggedおよびRelaible

適用

1.Direct論理レベルのインターフェイス:TTL/CMOS
2.Drivers:リレー、ソレノイド、ランプ、ハンマー、表示、記憶、トランジスター、等。
3.電池式システム
4。半導体継電器

最高の評価（通知がなければTa=25℃）

変数

記号

価値

単位

下水管源の電圧

VDS

連続的なゲート源の電圧

VGSS

±20

連続的な下水管の流れ

0.22

電力損失

0.35

接続点からの包囲されたへの熱抵抗

RθJA

357

℃/W

実用温度

150

℃

保管温度

Tstg

-55 ~+150

電気特徴（Ta=25 ℃他に特に規定がなければ）

変数

記号

テスト条件

分

タイプ

最高

単位

特徴を離れて

下水管源の絶縁破壊電圧

V （BR） DSS

VGS = 0V、ID =250µA

ゲートボディ漏出

IGSS

VDS =0V、VGS =±20V

±100

ゼロゲートの電圧下水管の流れ

IDSS

VDS =50V、VGS =0V

0.5

µA

VDS =30V、VGS =0V

100

特徴

ゲート境界の電圧（ノート1）

VGS （Th）

VDS =VGS、ID =1MA

0.80

1.50

静的な下水管源のオン抵抗（ノート1）

RDS （）

VGS =10V、ID =0.22A

3.50

Ω

VGS =4.5V、ID =0.22A

前方相互コンダクタンス（ノート1）

gFS

VDS =10V、ID =0.22A

0.12

動特性（ノート2）

入れられたキャパシタンス

Ciss

VDS =25V、VGS =0V、f=1MHz

出力キャパシタンス

Coss

逆の移動キャパシタンス

Crss

転換の特徴

Turn-on遅れ時間（ノート1,2）

td （）

VDD =30V、VDS =10V、ID =0.29A、RGEN =6Ω

上昇時間（ノート1,2）

Turn-off遅れ時間（ノート1,2）

td （）

落下時間（ノート1,2）

下水管源ボディダイオード特徴

ボディダイオード前方電圧（ノート1）

VSD

=0.44A、VGS = 0Vはある

1.4

注:
1.脈拍テスト;脈拍幅≤300µsの使用率≤2%。
2。これらの変数に確認する方法がない。