トランジスタのテスト

IRFD120 1.3A、100V、0.300オーム、Nチャネル力MOSFET この高度力MOSFETは故障のなだれの運営方法のエネルギーの指定レベルに抗するように設計され、テストされ、そして保証されます。これらは高い発電の高速および低いゲート ドライブ力を要求する両極スイッチング・.........

製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

プロダクト細部 1. 標準的な、順序の商品か製造の歓迎。2. サンプル順序。3. 私達は24時間以内にあなたの照会のための答える。4. 発送の後で、私達は2日毎にプロダクトを得るまで、あなたのためのプロダクトを一度追跡する。5. 商品を得たときに、テストはそれら、私にフィードバッ.........

D1028UK RF MOSFET トランジスタ RF MOSFET N-CH 70V 30A 5ピンケース DR 製造者: TT電子 製品カテゴリー: RF MOSFET トランジスタ トランジスタの偏性: Nチャンネル テクノロジー そうだ Id - 連続流出電流:.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF.........

STD12N10L MOSFETのトランジスターとの強力な性能を得なさいSTD12N10L MOSFETのトランジスターの使用の賛否両論 あなたの電子デバイスからの強力な性能のシーカーとして、多分STD12N10L MOSFETのトランジスターに出くわした。これらのトランジスター部品は並ぶも.........

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETのトランジスター200V表面の台紙D2PAK 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの.........

FDMS6681Z MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFNオリジナルMosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. フェアチャイルドの半導体FDMS6681Zのトランジスター、MOSFETのP-channel、-49A、-30V.........

IRF7424TRPBF HEXFETか。か。力MOSFETのテスト力トランジスター 超低いオン抵抗 P-Channel MOSFET 表面の台紙 テープ及び巻き枠で利用できる 無鉛か。か。か。 記述 国際的な整流器からのこれらのP-Channelの.........

SI4840BDY-T1-GE3 SMD/SMT MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 MouseReel 特徴 •TrenchFET®力MOSFET •100% RgおよびUISはテストした 製品カテゴリ: MOSFET......

平面Nチャネル高電力MOSFET 表面マウント 工業モスフェットトランジスタ 製品説明: 高功率MOSFETは -55°Cから+175°Cの 幅広い温度範囲で動作するように設計されており 極端な環境でも使用できますN型構成で最適性能を保証する効率性と信頼性が高い. 設計者やエンジニアが 信頼性と........

元のIRF7404TRPBF SOP8 Pチャネル20V 7.7A SMD MOSFETのトランジスター記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名.........

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETトランジスタ200V 18A（Tc）150W（Tc）表面実装D2PAK 先端プロセス技術 ダイナミックdv / dt定格175℃動作温度 ファストスイッチング完全雪崩評価 並列化の容易さ シンプルなドライブ要件 説明 インターナショナ.........

製品説明: 高電圧MOSFETは超高電圧MOSFETで,高電圧MOSFETトランジスタの一種で,熱消耗と低電阻の点で優れた性能を提供します.新しい横変形ドーピング技術などの先進的な機能が装備されています特殊電源MOS構造と高温での優れた特性により,従来の高電圧MOSFETよりも優れたパフォーマン........

NTR4003NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス N-Channel MOSFETのトランジスターTO-236-3解決の切換えの拡大の適用 FETのタイプ N-Channel......

Mosfetのトランジスター切口および機械を形作る形態機械トランジスター中心鉛イントロ: 機械を形作るこのトランジスターは詰まる緩いですか管のトランジスターを切り、形作るように設計されている自動機械である（TO-220、TO-218、TO-126）。 それは自動供給のトランジスターできたり、背部お.......

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FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター SCT4018KEC11の製品の説明 SCT4045DW7HRTLは750V 31A （Tc）の93W自動車等級のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター、パ.........

- 247へのIRFP240PBF 200V 20A 0.18Ohmの評価される力MOSFETのトランジスター 動的DV/DTの評価の反復的ななだれ HEXFETO力MOSFET●動的dv/dtの評価●評価される反復的ななだれ●隔離された中央取り付け穴●速い切換え●平行になる容易さ●.........