IRFD120力Mosfetのトランジスター電気IC Nチャネル力MOSFET

IRFD120

1.3A、100V、0.300オーム、Nチャネル力MOSFET

この高度力MOSFETは故障のなだれの運営方法のエネルギーの指定レベルに抗するように設計され、テストされ、そして保証されます。これらは高い発電の高速および低いゲート ドライブ力を要求する両極スイッチング・トランジスタのための切換え調整装置、切換えのコンバーター、モーター運転者、リレー運転者および運転者のような適用のために設計されているNチャネルの強化モード ケイ素ゲート力の電界効果トランジスタです。それらは集積回路から直接作動させることができます。

以前進化のタイプTA17401。

特徴

•1.3A、100V

•r_DS（） = 0.300Ω

•評価される単一の脈拍のなだれエネルギー

•SOAは限られる電力損失です

•ナノ秒の切り替え速度

•線形転移特性

•高い入力インピーダンス

•関連の文献

   - TB334 「パソコン ボードへのはんだ付けする表面の台紙の部品のための指針」

絶対最高評価T_C = 25℃、他に特に規定がなければ

注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれません。これは評価するただ圧力であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されません。

注:

1. T_J = 25℃への125℃。

3. V Tを始める_DD = 25V_J = 25℃、L = 32mH、R_G = 25ΩのピークI_ように= 1.3A。

包装

標準的な提供（熱い販売法）

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