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国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名のためにであること速い切り替え速度および高耐久化された装置設計と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な装置を、デザイナーに与えます。
SO-8は高められた熱特徴およびそれにいろいろな力の適用の理想をする多数ダイスの機能のためのカスタマイズされたleadframeを通して変更されました。これらの改善を使うと、多数装置は劇的に減らされた板スペースを使うと適用で使用することができます。パッケージは蒸気段階、赤外線の、または波のはんだ付けする技術のために設計されています。0.8Wより大きいの電力損失は典型的なPCBの台紙の塗布で可能です。
特徴
l世代別V T echnology
l超低いオン抵抗
l PチャネルMosfet
l表面の台紙
テープ及び巻き枠で利用できるl
l動的dv/dtの評価
lは切換え絶食します
パッケージ
