D1028UK RF MOSFET トランジスタ RF MOSFET N-CH 70V 30A 5ピンケース DR 製造者: TT電子 製品カテゴリー: RF MOSFET トランジスタ トランジスタの偏性: Nチャンネル テクノロジー そうだ Id - 連続流出電流:.........
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MRFE6VP5600HR5 RF Mosfet LDMOS (二重) 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230 これらの高い険しさ装置は高いVSWRの使用のために産業の(を含むレーザーおよび血しょう刺激物)、放送の(アナログおよびデジタル)、宇宙航空および無線/土地の可......
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製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果(RF MOSFET)のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........
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RF モスフェット 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S...
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PXAC241702FC-V1-R250 RFの金属酸化膜半導体分野効果(RF MOSFET)のトランジスターRFP-LD10M 記述ThePXAC241702FCは2300から2400の......
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VISHAY IC S525T-GS08の表面の台紙SOT-223 S525T プロダクトParamenters 製造業者: Vishay 製品カテゴリ: RF MOSFETのトランジスター トランジスター極性: N-C.........
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CYW43362KUBGT RF力トランジスター2.4 GHz WLAN CMOSのアンプのパッケージ69-UFBGA タイプ TxRx + MCU...
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製品の説明プロダクト細部 包装大きさ 部分の状態時代遅れ トランジスター タイプN-Channel JFET 頻度- 利益- 現在の評価(Amps)100mA 雑音指数- パワー出力- 評価される電圧-25V パッケージ/場合TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 製造者装置パッ........
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MRF175LUのN/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路MRF175LU 指定 項目 価値 D/C 新しい...
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指定新しく、元の各パート3速いdelicery 4の1つの競争価格2の保証...
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AFT05MS003NT1 MOSFETのトランジスターNチャネル500mV 30V RF力 AFT05MS003NT1、のRF MOSFETのトランジスター、N-Channel、- 500 mV、30ボルト、RF力MOSFET、1.8 MHzから941のMHz、20.8 dB、SOT-8.........
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FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........
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MHL21336 電界効果トランジスタ 力モジュール IC は 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプを分けます 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプ 3G 周波数帯域で作動する 50 オーム システムの超線形アンプの塗布のために設計されている。.........
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RFミクロ以下MOSFETライン RF力の電界効果トランジスタ N-Channel強化モード側面MOSFETs 945のMHz、30のWの26のVの側面のN-CHANNEL広帯域RF力のMOSFETs 頻度の広帯域商業および産業適用のために設計されている1.0までGHz。.........
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AOD442/AOI44260V NチャネルMOSFET 概説 AOD442/AOI442によって使用される高度の堀の技術への優秀なR DS ()および低いゲート充満を提供して下さい。それら装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適しています適用。 変数 .........
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ESP-32S RF TXRXモジュールSMDのOlimex株式会社 プロダクト細部 記述VIPer53Eは同じパッケージの高圧MDMesh力MOSFETによって高められた現在のモードPWMコントローラーを結合する。典型的な適用は広い範囲の入力電圧の30Wまで、か単一のヨー.........
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MICRF112YMM-TRのマイクロチップRFの送信機ASK/FSK 2.5V/3.3V 10 Pin MSOP T/R 高い発電MOSFET FDMA530PZのP-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET-30V、-6.8A、35mΩ 高い発電MOSFET FD.........
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