MRF9030GNR1力mosfetモジュールはMosfetのトランジスターRF力の電界効果トランジスタに動力を与える
型式番号:MRF9030
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:7800pcs
受渡し時間:1日
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正会員
Shenzhen China
住所：
ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
RFミクロ以下MOSFETライン
RF力の電界効果トランジスタ
N-Channel強化モード側面MOSFETs
945のMHz、30のWの26のVの側面のN-CHANNEL広帯域RF力のMOSFETs
頻度の広帯域商業および産業適用のために設計されている1.0までGHz。これらの装置の高利得および広帯域性能はそれらを大き信号、26ボルトの基地局装置の共通源のアンプの塗布にとって理想的にさせる。
•945のMHz、26ボルトの典型的なツートーン性能
出力電力—PEP 30ワットの
力の利益—19 dB
効率—41.5%
IMD —– 32.5 dBc
•統合されたESDの保護
•最高の利益および挿入段階の平坦のために設計されている
•10:1 VSWRを、@ 26 Vdc扱うことができる、945のMHz、出力電力CW 30ワットの
•優秀な熱安定性
•シリーズ同等の大き信号のインピーダンス変数と特徴付けられる
•テープおよび巻き枠。R1接尾辞= 1 32のmmあたり500単位、13インチの巻き枠。
最高の評価
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 下水管源の電圧 | VDSS | 68 | Vdc |
| ゲート源の電圧 | VGS | – 0.5、+15 | Vdc |
総装置消滅@ TC = 25°C MRF9030R1 25°Cの上で軽減しなさい | PD | 92 0.53 | ワット With°C |
総装置消滅@ TC = 25°C MRF9030SR1 25°Cの上で軽減しなさい | PD | 117 0.67 | ワット With°C |
| 保管温度の範囲 | Tstg | – 65から+200 | °C |
| 作動の接合部温度 | TJ | 200 | °C |
パッケージ次元
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| BFU710F | 15000 | 15+ | SOT-343 | |
| PIC16F526-I/SL | 5193 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| LM810M3X-4.63 | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23-3 |
| M95020-WMN6TP | 10000 | ST | 16+ | SOP |
| M93S46-WMN6 | 4686 | ST | 10+ | SOP |
| MCT61 | 10000 | FSC | 16+ | DIP-8 |
| MAX809LEUR+T | 10000 | 格言 | 16+ | SOT |
| 52271-2079 | 3653 | MOLEX | 15+ | コネクター |
| ZVP3306FTA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23 |
| MBR10100G | 15361 | 16+ | TO-220 | |
| NTR2101PT1G | 38000 | 16+ | SOT-23 | |
| MBRD640CTT4G | 17191 | 16+ | TO-252 | |
| NTR4501NT1G | 38000 | 15+ | SOT-23 | |
| LM8272MMX | 1743 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| NDT014 | 10000 | フェアチャイルド | 14+ | SOT-223 |
| LM5007MM | 1545 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| NRF24L01+ | 3840 | 北欧人 | 10+ | QFN |
| MI1210K600R-10 | 30000 | スチュワード | 16+ | SMD |
| A3144E | 25000 | アレグロ | 13+ | TO-92 |
| MP3V5004DP | 5784 | FREESCALE | 13+ | SOP |
MRF9030GNR1力mosfetモジュールはMosfetのトランジスターRF力の電界効果トランジスタに動力を与える
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