100mA 230MHz RF MosfetのトランジスターLDMOS 600ワットMRFE6VP5600HR5

型式番号:MRFE6VP5600HR5
原産地:アメリカ合衆国
最低順序量:1 部分
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:1 年ごとの 10000 部分
受渡し時間:1-2 営業日
企業との接触

Add to Cart

サイト会員
Shenzhen Guangdong China
住所: C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

MRFE6VP5600HR5 RF Mosfet LDMOS (二重) 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230

 

 

これらの高い険しさ装置は高いVSWRの使用のために産業の(を含むレーザーおよび血しょう刺激物)、放送の(アナログおよびデジタル)、宇宙航空および無線/土地の移動式適用設計されている。それらは無比の入出力設計であり1.8そして600のMHz間の広い周波数範囲の利用を、許可する

 

特徴

1、無比の入出力広い周波数範囲の利用を許可する

2つの装置は使用された単一である場合もある--終えられるまたは押しで--引き構成

3つは50 VDD操作の最高まで、修飾した

4、30ボルトから延長出力領域のための50ボルトから特徴付けられる

5、適切な偏ることの線形適用のために適した

6のより大きく否定的なゲートとの統合されたESDの保護--改善されたクラスC操作のための源の電圧範囲

7、大きいシリーズ等量と特徴付けられて--信号のインピーダンス変数

8、迎合的なRoHS•テープおよび巻き枠。R6接尾辞= 150単位、56のmmテープ幅、13インチの巻き枠。R5テープおよび巻き枠の選択のために、p. 12を見なさい。

トランジスター タイプLDMOS (二重) 
頻度230MHz 
利益25dB 
電圧-テスト50V 
現在の評価- 
雑音指数- 
現在-テスト100mA 
パワー出力600W 
評価される電圧-130V 
パッケージ/場合NI-1230 
製造者装置パッケージNI-1230 
基礎部品番号

MRFE6VP5600

 

在庫の他の電子部品のリスト
部品番号MFG/BRAND 部品番号MFG/BRAND
LSISAS1064E B3LSILOGIC SAYFH833MBA0F0AR05村田
FM31256-GTRCYPRESS RD9801チタニウム
DCP010515BPBB OPA4244EA/2K5チタニウム
BD6211F-E2ROHM IP4220CZ6125NXP
AD8041AR-REELADI PE4308-52ペレグリン
MDS-223MA-COM MAX8863TEUK+T格言
XC6221B301MRTOREX LMH6646MAXNSC
PCF7947ATNXP J117NEC
UPD65810GL-026-NMUNEC RK73H1JTTD17R8FKOA
MT41K512M16HA-125:ミクロン 74LV74Aチタニウム
SST39VF040-70-4C-HNSST TC7PAU04FU東芝
SAYFH2G53CC0F0AR1S村田 RR0510S-753-FNCYNTEC
MC44BS373CAEFR2FREESCAL RFFM8211STR7RFMD
LQH6PPN150M43L村田 PW2300B-05LPIXELWOR
88E6083-B0-LGR1I000MARVELL MT1366F/DPMT
WJCE6250-SLA36INTEL XTR115UA/2K5チタニウム
ZL50018GACZARLINK TS5USBA224RSWRチタニウム
STM8S207K6T3CST SRU1038-220YBOURNS
LMX2541SQE3320E/NOPBNSC L4949DR2G
LMX2336LSLBXNS TLP2098東芝

 

 

China 100mA 230MHz RF MosfetのトランジスターLDMOS 600ワットMRFE6VP5600HR5 supplier

100mA 230MHz RF MosfetのトランジスターLDMOS 600ワットMRFE6VP5600HR5

お問い合わせカート 0