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MRFE6VP5600HR5 RF Mosfet LDMOS （二重） 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230
これらの高い険しさ装置は高いVSWRの使用のために産業の（を含むレーザーおよび血しょう刺激物）、放送の（アナログおよびデジタル）、宇宙航空および無線/土地の移動式適用設計されている。それらは無比の入出力設計であり1.8そして600のMHz間の広い周波数範囲の利用を、許可する
特徴
1、無比の入出力広い周波数範囲の利用を許可する
2つの装置は使用された単一である場合もある--終えられるまたは押しで--引き構成
3つは50 VDD操作の最高まで、修飾した
4、30ボルトから延長出力領域のための50ボルトから特徴付けられる
5、適切な偏ることの線形適用のために適した
6のより大きく否定的なゲートとの統合されたESDの保護--改善されたクラスC操作のための源の電圧範囲
7、大きいシリーズ等量と特徴付けられて--信号のインピーダンス変数
8、迎合的なRoHS•テープおよび巻き枠。R6接尾辞= 150単位、56のmmテープ幅、13インチの巻き枠。R5テープおよび巻き枠の選択のために、p. 12を見なさい。
| トランジスター タイプ | LDMOS （二重） | |
|---|---|---|
| 頻度 | 230MHz | |
| 利益 | 25dB | |
| 電圧-テスト | 50V | |
| 現在の評価 | - | |
| 雑音指数 | - | |
| 現在-テスト | 100mA | |
| パワー出力 | 600W | |
| 評価される電圧- | 130V | |
| パッケージ/場合 | NI-1230 | |
| 製造者装置パッケージ | NI-1230 | |
| 基礎部品番号 |
MRFE6VP5600 |
| 在庫の他の電子部品のリスト | ||||
| 部品番号 | MFG/BRAND | 部品番号 | MFG/BRAND | |
| LSISAS1064E B3 | LSILOGIC | SAYFH833MBA0F0AR05 | 村田 | |
| FM31256-GTR | CYPRESS | RD9801 | チタニウム | |
| DCP010515BP | BB | OPA4244EA/2K5 | チタニウム | |
| BD6211F-E2 | ROHM | IP4220CZ6125 | NXP | |
| AD8041AR-REEL | ADI | PE4308-52 | ペレグリン | |
| MDS-223 | MA-COM | MAX8863TEUK+T | 格言 | |
| XC6221B301MR | TOREX | LMH6646MAX | NSC | |
| PCF7947AT | NXP | J117 | NEC | |
| UPD65810GL-026-NMU | NEC | RK73H1JTTD17R8F | KOA | |
| MT41K512M16HA-125: | ミクロン | 74LV74A | チタニウム | |
| SST39VF040-70-4C-HN | SST | TC7PAU04FU | 東芝 | |
| SAYFH2G53CC0F0AR1S | 村田 | RR0510S-753-FN | CYNTEC | |
| MC44BS373CAEFR2 | FREESCAL | RFFM8211STR7 | RFMD | |
| LQH6PPN150M43L | 村田 | PW2300B-05L | PIXELWOR | |
| 88E6083-B0-LGR1I000 | MARVELL | MT1366F/DP | MT | |
| WJCE6250-SLA36 | INTEL | XTR115UA/2K5 | チタニウム | |
| ZL50018GAC | ZARLINK | TS5USBA224RSWR | チタニウム | |
| STM8S207K6T3C | ST | SRU1038-220Y | BOURNS | |
| LMX2541SQE3320E/NOPB | NSC | L4949DR2G | ||
| LMX2336LSLBX | NS | TLP2098 | 東芝 | |