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パワー IDMOS トランジスタ

1 - 20 の結果 パワー IDMOS トランジスタ から 243 製品

NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin (分) (v) 3 Vin (最高の) (v) 17 Vout (分) (v) 1.8......

Time : Dec,04,2024
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シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている:- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダ.......

Time : May,31,2024
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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...

Time : Sep,11,2023
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MRFE6VP6300HR5 RF Mosfet LDMOS (二重) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 これらの高い険しさ装置は高いVSWRの使用のために産業の(を含むレーザーおよび血しょう刺激物)、放送の(アナログおよびデジタル)、宇宙航空および無線/土......

Time : Nov,03,2023
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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル.........

Time : May,30,2024
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速い切換えの時間Mosの電界効果トランジスタ、電源スイッチのトランジスター Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXF.........

Time : May,30,2024
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J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ 製造者: フェアチャイルド 製品カテゴリー: JFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-92 トランジス.........

Time : Apr,20,2025
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ホット スワップ コントローラーは遮断器が付いているパワー アンプのトランジスターTPS2330IPWRを タイプ: ホット スワップ コントローラー 適用: 一般目的 プログラム可能な特徴: 遮断器、欠.........

Time : Nov,27,2024
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FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

Time : Nov,28,2024
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IRFR1018ETRPBF力MOSFETのトランジスターのための製品の説明のリストはここにある: 高性能の切換え:このMOSFETのトランジスターは高性能の転換の適用の使用のために設計され、それを電源および他の電子デバイスの使用にとって理想的にさせる。 低いRDS ():低いオン抵.........

Time : Nov,30,2024
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NJW0302G補足NPN-PNPの力の両極トランジスター15A 250V 150W NJW0281G 250V 15A 150W hfe75-150 NJW0302G 250V 15A 150W hfe75-150は組である。 15アンペア 補足のケイ素 力トランジスター.........

Time : May,30,2024
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DC 24VパワーPLCトランジスタモジュール、PLCネガティブコントロールDCアンプボード 1、負荷電圧、電流タイプは異なります 負荷タイプ:トランジスタはDC負荷のみを運ぶことができますが、リレーはAC負荷とDC負荷の両方を持つことができます。 電流:トランジスタ電流0.2A-0.3A、.........

Time : Dec,09,2024
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製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

Time : Nov,26,2024
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FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター プロダクト概観 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 Mosfetの配列2のN-Channel (二重)非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1.........

Time : Nov,24,2024
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IRFP460LC力MOSFET -あなたの電子工学の必要性のための高性能解決IRFP460LC力MOSFETの購入の賛否両論 あなたの電子デバイスに動力を与えるために強力のおよび信頼できるトランジスター捜せばIRFP460LC力MOSFETはかもしれないちょうどである必要とするかもの。この.........

Time : Nov,30,2024
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トランジスターSCT055HU65G3AG HU3PAK自動車等級SIC力MOSFETのトランジスター SCT055HU65G3AGの製品の説明 SCT055HU65G3AGは自動車等級の炭化ケイ素力MOSFETのトランジスター、650Vの58mΩタイプ。、HU3PAKのパッケージの30A.........

Time : Apr,21,2025
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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル.........

Time : Dec,01,2024
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Time : Sep,30,2019
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