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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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China 高性能の転換の適用のためのIRFR1018ETRPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスのトランジスター wholesale

高性能の転換の適用のためのIRFR1018ETRPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスのトランジスター

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型式番号 :IRFR1018ETRPBF

原産地 :複数の起源

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :99999

受渡し時間 :1-7days

包装の細部 :標準

プロダクト状態 :活動的

FETのタイプ :N-Channel

技術 :MOSFET （金属酸化物）

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :60ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :56A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :10V

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製品の説明を表示

IRFR1018ETRPBF力MOSFETのトランジスターのための製品の説明のリストはここにある:

高性能の切換え:このMOSFETのトランジスターは高性能の転換の適用の使用のために設計され、それを電源および他の電子デバイスの使用にとって理想的にさせる。
低いRDS （）:低いオン抵抗（を使ってRDS （））ちょうど10mOhmsの、このトランジスターは低い伝導の損失および高性能を提供する。
強い設計:IRFR1018ETRPBFは電気および熱圧力のハイレベルに抗することができる険しい、信頼できる設計を特色にする。
速い切り替え速度:このトランジスターの速い切り替え速度はそれを急速な切換えを要求する適用の使用にとって理想的にさせる入力信号の変更にすぐに答えることができることを保障する。
表面の台紙のパッケージ:このトランジスターはいろいろ電子設計に統合することを容易にする表面の台紙のパッケージで収納される。
低いゲート充満:ちょうど27nCの低いゲート充満を使うと、このトランジスターはゲートドライブ回路の範囲によって容易に運転することができる。
高温範囲:IRFR1018ETRPBFはそれを高温度の環境の使用のために適したようにする175°Cまで温度で作動できる。
迎合的な無鉛およびRoHS:迎合的なこのトランジスターは無鉛およびRoHSでありそれを環境に優しくおよびいろいろな適用で使用すること安全させる。

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