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MRFE6VP6300HR5 RF Mosfet LDMOS (二重) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4
これらの高い険しさ装置は高いVSWRの使用のために産業の(を含むレーザーおよび血しょう刺激物)、放送の(アナログおよびデジタル)、宇宙航空および無線/土地の移動式適用設計されている。それらは無比の入出力設計であり1.8そして600のMHz間の広い周波数範囲の利用を、許可する
特徴
•無比の入出力広い周波数範囲の利用を許可する
•装置は使用された単一である場合もある--終えられるまたは押しで--引き構成
•50 VDD操作の最高まで修飾される
•30ボルトから延長出力領域のための50ボルトから特徴付けられる
•適切な偏ることの線形適用のために適した
•統合されたESDの保護
•より大きく否定的なゲート--改善されたクラスC操作のための源の電圧範囲
•大きいシリーズ等量と特徴付けられる--信号のインピーダンス変数
•迎合的なRoHS
•NI--780--テープおよび巻き枠の4。R3接尾辞= 250単位、56のmmテープ幅、13インチの巻き枠。R5テープおよび巻き枠の選択のために、p. 14を見なさい。
•NI--780S--テープおよび巻き枠の4。R3接尾辞= 250単位、32のmmテープ幅、13インチの巻き枠。R5テープおよび巻き枠の選択のために、p. 14を見なさい。
在庫の他の電子部品のリスト | ||||
部品番号 | MFG/BRAND | 部品番号 | MFG/BRAND | |
PC28F00AM29EWL | ミクロン | LTC1735IGN#PBF | 線形 | |
LD6816CX4/C30P | NXP | MAX15005BAUE+T | 格言 | |
GRM32ER60J107ME20L | 村田 | BR9016AF-WE2 | ROHM | |
FBMH1608HM331-T | TAIYO | NB685GQ-Z | MPS | |
PW328-10L | PIXELWORK | 102S48W104KV4E | JOHANSON | |
ADV7305AKST | ADI | TMS320VC5409GGU-80 | チタニウム | |
UPD789088MC-511-5A4-A | NEC | TC7SG79FU、LF | TOS | |
S908GZ48G3CFAE | FREESCAL | PM8393-PI | PMC | |
M50239HP | RENESAS | LT1963AES8 | 線形 | |
TPA731DGNR | チタニウム | LM3490IM5-3.3 | NSC | |
TC7SH126FU | 東芝 | ARTPEC-3 | 軸線 | |
PF08124BA-02-TB | 日立 | TCMT1100 | VISHAY | |
MOC3052SR2M | FAI | PM-8038-0-220BWLNSP-TR-01-1 | クアルコム | |
LM78L08ACD | ST | NTHS5404T1G | ||
AME41DEET | AMI | M74HC365RM13TR | ST | |
54S280J | チタニウム | EPM3512AFI256-10 | ALTERA | |
115CNQ015ASM | IR | 74VHC299FW | 東芝 | |
SI3586DV-T1-GE3 | VISHAY | MAX8863REUK+T | 格言 | |
PE65862 | 脈拍 | LEFH1701TG-8 | LITEON | |
MW6IC2015GNBR1 | FREESCALE | SN75LBC180N | チタニウム |