高性能の転換の適用のためのIRFR1018ETRPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスのトランジスター

型式番号:IRFR1018ETRPBF

原産地:複数の起源

最低順序量:1

支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力:99999

受渡し時間:1-7days

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

確認済みサプライヤー

Shenzhen China

住所： 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

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製品詳細会社概要

製品詳細

IRFR1018ETRPBF力MOSFETのトランジスターのための製品の説明のリストはここにある:

高性能の切換え:このMOSFETのトランジスターは高性能の転換の適用の使用のために設計され、それを電源および他の電子デバイスの使用にとって理想的にさせる。
低いRDS （）:低いオン抵抗（を使ってRDS （））ちょうど10mOhmsの、このトランジスターは低い伝導の損失および高性能を提供する。
強い設計:IRFR1018ETRPBFは電気および熱圧力のハイレベルに抗することができる険しい、信頼できる設計を特色にする。
速い切り替え速度:このトランジスターの速い切り替え速度はそれを急速な切換えを要求する適用の使用にとって理想的にさせる入力信号の変更にすぐに答えることができることを保障する。
表面の台紙のパッケージ:このトランジスターはいろいろ電子設計に統合することを容易にする表面の台紙のパッケージで収納される。
低いゲート充満:ちょうど27nCの低いゲート充満を使うと、このトランジスターはゲートドライブ回路の範囲によって容易に運転することができる。
高温範囲:IRFR1018ETRPBFはそれを高温度の環境の使用のために適したようにする175°Cまで温度で作動できる。
迎合的な無鉛およびRoHS:迎合的なこのトランジスターは無鉛およびRoHSでありそれを環境に優しくおよびいろいろな適用で使用すること安全させる。

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