nandフラッシュ技術

MT29F2G08ABAGAWP-IT:Gのフラッシュ・メモリの破片 製品仕様書: - 記憶容量:2 GB - フラッシュ・メモリのタイプ:否定論履積 - バス幅:x8 - 構成:x8/x16 - アクセス時間:8ns - 電圧:2.7-3.6V - パッケージ/場合.........

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:抜け目がないの-否定論履積（SLC）の記憶IC 256Gb平行100MHz Mfr マイクロン・テクノロジ株式会社。 シリーズ -......

MTFC4GACAJCN-1Mの重量のMultiMediaCard (MMC)のコントローラーおよび否定論履積の抜け目がないフラッシュ・メモリはICミクロンを欠きます 概説 ミクロンe.MMCはMMCのシステム仕様書と迎合的の、高度11信号バスのMultiMediaCard (MMC)インターフェイ......

MTFC4GACAJCN-1Mの重量のMultiMediaCard （MMC）のコントローラーおよび否定論履積の抜け目がないフラッシュ・メモリの破片ICミクロン 概説 ミクロンe.MMCはMMCのシステム仕様書と迎合的である、高度11信号バスのMultiMediaCard （MMC）インターフェイス......

集積回路の破片MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E自動車否定論履積のフラッシュ・メモリIC MT29F2G08ABAEAWP-AATXの製品の説明:E MT29F2G08ABAEAWP-AATX:Eは2Gbit平行自動車否定論履積のフラッシュ・メモリの破片、パッケージである48-.........

否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP 製品範囲 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP 32Gbの非同期/同期否定論履積の特徴の Appの特徴 開いた否定論履積.........

製品説明: eMMC5.1製品は,IoTおよび組み込みシステム向けに設計された信頼性の高いフラッシュメモリソリューションであり,産業用および消費者用電子機器のアプリケーションのための高品質のストレージを提供しています.この製品は,MLCで利用可能なNANDフラッシュ技術を持っています.,TLC,........

マイクロン100% オリジナルIC 電子部品 MT41K256M16TW-107 集積回路IC チップ MT41K25 電子部品 MT41K256M16TW-107 マイクロン 機密および所有 2Gb: x8,x16 NAND フラッシュメモリ 機能 N AND フラッシュメモリ,.........

MT29F64G08CBABAWP:B ICのメモリー チップ否定論履積は8GX8プラスチックPBF TSOP 3.3Vの大容量記憶装置点滅する 特徴 •開いた否定論履積抜け目がないインターフェイス（ONFI） 1.0-compliant1 •シングル レベルの細胞（SLC）の技術 •構成–ページ ......

Faspeed K6M 8GB MSATA SSD小型PCのノートのための内部小型SATA SSDドライブ3D否定論履積抜け目がないソリッド ステート ドライブ •Msataの形式要素およびSATA III 6GB/sインターフェイス •3D否定論履積のフラッシュ •例外的な移動の速度.........

U8 U8-RBQ03 工業用USBフラッシュドライブ,eUSBモジュール,MCPおよびDoBストレージソリューションのためのHyperstone USB 2.0 NANDフラッシュコントローラ 記述: U8 USB 2.0 NAND フラッシュコントローラ U8-RBQ03工業用USBフラ.........

TC58NYG0S3HBAI6東芝否定論履積の抜け目がない平行1.8V 1Gビット128M x 8 67 Pin VFBGAプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） 3A991.b.1.a 部分の状態 活.........

FMC NAND/Flashの記憶基質の製造の支持 適用:ICのパッケージ、半導体のパッケージ、UDP/USBプロダクト、記憶電子工学、NAND/Flashの記憶、否定論履積のフラッシュ・メモリ カード、スマートなモバイル機器、ノートのPC; Spec.ofの基質の生産: Mini.Li.........

ミクロンIC否定論履積のフラッシュの集積回路はMT29F1G08ABADAWP-ITを分けます:D ミクロンICのフラッシュ1GBIT 48TSOP MT29F1G08ABADAWPのメモリー チップ 導入: プロセスおよび設計のミクロンの進行中の革新は工業一流20nm.........

記憶集積回路GD5F2GQ5UEYIGR WSON-8否定論履積のフラッシュ 製品の説明: GigaDevice GD5F SPI否定論履積のフラッシュ・メモリは高容量の貯蔵および性能を提供する。これはモバイル機器、セット トップ ボックス、データ カード、TVでこれらの装置をマルチメディ.........

W29N01HVSINA否定論履積のフラッシュ・メモリECC 1Gbit 2.7Vへの3.6V 35mA 128M x 8 TSOP-48 指定 製品特質 属性値 様式の取付け: SMD/SMT 記憶容量: 1 Gbit.........

1つのLCDのディスプレイ・モニター23.6のインチ否定論履積のフラッシュ8GBの10ポイントすべて 速い細部 パネル:23.6"完全なHD IPSスクリーン、LEDのバックライト 決断:1920年の× 1080 （FHD） @60hz 接触タイプ:容量性10点の接触 操作システム:Andriod ......