MT29F64G08CBABAWP否定論履積のフラッシュICのメモリーチップ8GX8のプラスチックPBF TSOP 3.3V大容量記憶装置

型式番号:MT29F64G08CBABAWP

原産地:マレーシア

最低順序量:10pcs

支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal

供給の能力:10000pcs

受渡し時間:標準的な2-3days

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デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社

確認済みサプライヤー

Shenzhen Guangdong China

住所： No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運

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製品詳細会社概要

製品詳細

MT29F64G08CBABAWP:B ICのメモリーチップ否定論履積のフラッシュ8GX8のプラスチックPBF TSOP 3.3V大容量記憶装置

特徴

•否定論履積のフラッシュインターフェイス(ONFI) 1.0-compliant1を開けて下さい

•細胞の(SLC)のシングルレベルの技術

•構成–ページサイズx8:2112バイト（2048年+ 64バイト） –ページサイズx16:1056のワード（1024 + 32ワード）の–ブロックサイズ:64ページ（128K + 4Kバイト） –平らなサイズ:2つの平面X平面–装置サイズごとの2048のブロック:4Gb:4096のブロック;8Gb:8192のブロック16Gb:16,384のブロック

•非同期入力/出力の性能– tRC/tWC:20ns （3.3V）、25ns （1.8V）

•配列の性能–読まれたページ:25µs 3 –プログラムページ:200µs （TYP:1.8V、3.3V） 3 –消去のブロック:700µs （TYP）

•置かれる命令:ONFI否定論履積のフラッシュの議定書

•高度命令によって置かれる–プログラムページの隠し場所mode4 –読まれたページの隠し場所モード4 – (OTP)一度だけのプログラム可能なモード– 2平面は4つに– （LUN）死にます入れ込まれて操作は–読まれた独特なID –ブロックロック（1.8Vだけ） –内部データ移動命じます

•操作の状態バイトは–操作の完了–パス/失敗の状態を検出するためにソフトウェア方法を提供します–状態を書込み禁止にして下さい

•準備ができた/Busy# （R/B#）信号は操作の完了を検出するハードウェア方法を提供します

•WP#信号:書込禁止の全体の装置

製品特質	すべてを選んで下さい
部門	集積回路(ICs)
	記憶
製造業者	マイクロン・テクノロジ株式会社。
シリーズ	-
部分の状態	活動的
記憶タイプ	不揮発性
記憶フォーマット	フラッシュ
技術	フラッシュ-否定論履積
記憶容量	64Gb （8G X 8）
周期にタイムの単語、ページを書いて下さい	-
記憶インターフェイス	平行
電圧-供給	2.7 V \| 3.6ボルト
実用温度	0°C \| 70°C （TA）