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128Mx8bitで提供されるlMS1G083ZZM1S-WPは,余分な32Mbで1GビットNANDフラッシュメモリである.デバイスは3.3vvccで提供されている.NANDセルは,固体状態アプリケーション市場にとって最も費用対効果の高いソリューションを提供します.プログラム操作は (2K+64Byte) ページの典型的な 400us で実行され,削除操作は (128K+4K) バイトブロックの典型的な 4.5ms で実行できます.データレジスタのデータは,バイトあたり25nsサイクルの時間で読み取れます.I/Oピンは,アドレスとデータ入力/出力,コマンド入力のためのポートとして機能します.オンチップの書き込み制御は,パルス重複を含むすべてのプログラムと消去機能を自動化します.必要に応じてデータの内部検証と保存IMS1G083ZZM1S-WPは,固体ファイルストレージなどの大型不揮発性ストレージアプリケーションおよび非揮発性を必要とする他のポータブルアプリケーションのための最適なソリューションです..
| ピン名 | 機能 | 記述 |
|---|---|---|
| I/O0 ~ I/O7 | データの入力/出力 | I/Oピンは,コマンド,アドレス,データを入力し,読み込み作業中にデータを出力するために使用される.チップがアン選択されたり,出力が無効になったときに,I/Oピンはhigh-zに浮いている. |
| CLE | コマンド・ラッチ ENABLE | CLE入力では,コマンドレジスタに送信されたコマンドのアクティベーション経路を制御します.WE信号の上昇する端にある I/O ポートを通じてコマンドレジスタにロックされます.. |
| アレ | アドレス ロッチ 有効 | ALE入力は,内部アドレスレジスタへのアドレスのアクティベーションパスを制御する.アドレスはWEの上昇する端にALEの高さでロックされます. |
| CE | CHIP ENABLE について | CE入力はデバイス選択制御である.デバイスがBusy状態にあるとき,CE高は無視され,デバイスはプログラムまたは消去操作で待機モードに戻らない. |
| RE | 読み取れる | RE入力はシリアルデータ出力制御で,アクティブでデータをI/Oバスにドライブします.また,内部列のアドレスカウンタを1つ増加させる.. |
| 我々は | 書き込み可能 | WE 入力制御は I/O ポートに書き込み,コマンド,アドレス,データは WE パルス上昇端にロックされます. |
| WP | 書き込み保護 | WPピンは,電源の切り替え中に無意識のプログラム/消去保護を提供します.WPピンがアクティブで低いとき,内部高電圧発電機はリセットされます. |
| R/B | 準備済み/忙しい出力 | R/B出力は,デバイスの動作の状態を示します.低値では,プログラム,消去,ランダム読み取りの動作が進行中であることを示し,完了すると高状態に戻ります.それはオープンドレイン出力であり,チップがアン選択されたときまたは出力が無効になったとき,高いz状態に浮きません. |
| VCC | パワー | VCCは装置の電源です |
| VSS | 地面 | |
| N/C | 関連性がない |
標準的な輸出パッケージは利用可能.顧客は,その要求に応じて,紙箱,木製ケース,木製パレットから選択することができます.
価格をどうやって手に入れるの?
通常,問い合わせを受けた後24時間以内に (週末や祝日を除く) 価格を提示します.緊急の価格要求については,直接ご連絡ください.
配達時間は?
小批数は通常7〜15日以内に出荷され,大批量注文は,注文量と季節に応じて約30日かかる場合があります.
お支払い条件は?
工場価格で 30%の預金と 70%の残高の支払いを T/Tで出荷前にします
配送の選択肢は?
配送方法には,海運,航空運送,急送 (EMS,UPS,DHL,TNT,FEDEX) が含まれます.ご注文前にご希望の方法を確認してください.
