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MT29F64G08CBABAWP:B ICのメモリー チップ否定論履積のフラッシュ8GX8のプラスチックPBF TSOP 3.3V大容量記憶装置
特徴
•否定論履積のフラッシュ インターフェイス(ONFI) 1.0-compliant1を開けて下さい
•細胞の(SLC)のシングル レベルの技術
•構成–ページ サイズx8:2112バイト（2048年+ 64バイト） –ページ サイズx16:1056のワード（1024 + 32ワード）の–ブロック サイズ:64ページ（128K + 4Kバイト） –平らなサイズ:2つの平面X平面–装置サイズごとの2048のブロック:4Gb:4096のブロック;8Gb:8192のブロック16Gb:16,384のブロック
•非同期入力/出力の性能– tRC/tWC:20ns （3.3V）、25ns （1.8V）
•配列の性能–読まれたページ:25µs 3 –プログラム ページ:200µs （TYP:1.8V、3.3V） 3 –消去のブロック:700µs （TYP）
•置かれる命令:ONFI否定論履積のフラッシュの議定書
•高度命令によって置かれる–プログラム ページの隠し場所mode4 –読まれたページの隠し場所モード4 – (OTP)一度だけのプログラム可能なモード– 2平面は4つに– （LUN）死にます入れ込まれて操作は–読まれた独特なID –ブロック ロック（1.8Vだけ） –内部データ移動命じます
•操作の状態バイトは–操作の完了–パス/失敗の状態を検出するためにソフトウェア方法を提供します–状態を書込み禁止にして下さい
•準備ができた/Busy# （R/B#）信号は操作の完了を検出するハードウェア方法を提供します
•WP#信号:書込禁止の全体の装置
| 製品特質 | すべてを選んで下さい |
| 部門 | 集積回路(ICs) |
| 記憶 | |
| 製造業者 | マイクロン・テクノロジ株式会社。 |
| シリーズ | - |
| 部分の状態 | 活動的 |
| 記憶タイプ | 不揮発性 |
| 記憶フォーマット | フラッシュ |
| 技術 | フラッシュ-否定論履積 |
| 記憶容量 | 64Gb （8G X 8） |
| 周期にタイムの単語、ページを書いて下さい | - |
| 記憶インターフェイス | 平行 |
| 電圧-供給 | 2.7 V | 3.6ボルト |
| 実用温度 | 0°C | 70°C （TA） |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
www.icmemorychip.com
電子メール:sales@deli-ic.com
Skype:hksunny3
TEL:86-755-82539981