n channel mosfet driver

NC7WV07P6X SMD SMT NチャネルMOSFETの運転者2の入れられた2出力論理IC NC7WV07P6X、onsemi/フェアチャイルド、緩衝及びライン・ドライバ、2つの入力、2出力、論理IC、NC7WV07P6X_NL、3.6ボルト、50 mAの巻き枠.........

FDS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET 30VのP-ChannelのPowerTrench MOSFET 概説の特徴 このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った高度のPowerTrench®プロ.........

MOSFET IRF7329TRPBF チップ ダイオード トランジスタ集積回路 製品説明 MOSFET MOSFT デュアル PCh -12V 9.2A 製品特性 メーカー......

プロダクト リスト: 半導体ICの破片、IRS2304STRPBF 記述: この半導体ICの破片は高側および低側のゲートの運転者の塗布のために設計されている集積回路である。それはhigh-current 8チャンネル、高圧低側/4Aのピーク出力の流れが付いている.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

トランジスター、耐久の高いAmpのトランジスターを使用するAP6H03S Mosfetの運転者 トランジスター記述を使用するMosfetの運転者: AP6H03Susesの高度の堀優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかも.........

DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

STL150N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 195A パワーフラット N P チャネル モスフェット 製造者: STMマイクロ電子機器 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パ.........

RFR4105ZTRPBF Mosfetの運転者IC NチャネルFETのタイプ55V 30A DPAK RFR4105ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 部門 分離...

3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 （J）及び（PbF） 製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR） 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........

TC4420CPAの低側のゲートMosfetの運転者IC非逆になる8-PDIP 概説 TC4420/TC4429は6A （ピーク）、単一出力MOSFETの運転者です。TC4429はTC4420は非逆になる運転者であるが、逆になる運転者（TC429とピン互換性がある）です。これらの運転者は低い電力そし......

NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章： NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

LMG1025QDEETQ1 高周波および狭いパルスアプリケーションのための自動車低サイドガンおよびMOSFETドライバー LMG1025QDEETQ1の製品説明 LMG1025QDEETQ1は,高スイッチング周波数自動車アプリケーションのための単チャンネル低側強化モードGaN FETと論理レ.........

TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICPMIC TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICTC4426EOA713 TC4426EOA713仕様： 部品番号 ......

ISO9001.pdf IPD075N03LGは,NチャネルMOSFETトランジスタである.このトランジスタの用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:電源スイッチとDC-DC変換器自動車運転手自動車用電子機器産業自動化制御システム結論は効率的なNチャネルMOSFETトランジスタ低導電抵抗と......

一般的な説明: JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電........

製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回........

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETのトランジスター200V表面の台紙D2PAK 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの.........