Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRS2304STRPBFの半導体ICの破片-高性能4チャネルMOSFETの運転者

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国/地域:china
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IRS2304STRPBFの半導体ICの破片-高性能4チャネルMOSFETの運転者

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型式番号 :IRS2304STRPBF
原産地 :複数の起源
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :99999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
プロダクト状態 :標準的
運転者構成 :半分橋
チャネル タイプ :取り外される
ドライブの数 :2
ゲートのタイプ :IGBT、N-Channel MOSFET
電圧-電源 :10V | 20V
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半導体ICの破片、IRS2304STRPBF

 

記述:

この半導体ICの破片は高側および低側のゲートの運転者の塗布のために設計されている集積回路である。それはhigh-current 8チャンネル、高圧低側/4Aのピーク出力の流れが付いている高側の運転者である。装置は制御信号またはPWM信号によって独立制御できる低側および高側の出力チャネルを提供する。装置は過電流、温度過昇、不足電圧および過電圧の保護を含む作り付けの記憶保護機構を、特色にする。

特徴:
- 高側および低側のゲートの運転者の塗布
- high-current 8チャンネル、高圧低側/高側の運転者
- 4Aのピーク出力の流れ
- 低側および高側の出力チャネル
- 制御信号かPWM信号
- 過電流、温度過昇、不足電圧および過電圧のprotectioを含む作り付けの記憶保護機構、

 

 

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IRS2304STRPBFの半導体ICの破片-高性能4チャネルMOSFETの運転者

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